SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 쌓았다
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SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개했습니다.
SK하이닉스는 현지시각으로 어제 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1테라비트 트리플 레벨 셀 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했습니다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적 개발 경과를 공개한 건 이번이 처음으로 SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획입니다.
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SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개했습니다.
SK하이닉스는 현지시각으로 어제 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1테라비트 트리플 레벨 셀 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했습니다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로 셀을 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 경쟁력의 핵심 요소로 꼽힙니다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적 개발 경과를 공개한 건 이번이 처음으로 SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획입니다.
이재욱 기자(abc@mbc.co.kr)
기사 원문 - https://imnews.imbc.com/news/2023/econo/article/6512513_36140.html
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