“한계 또 깼다”…SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 선보여
SK하이닉스는 8일(현지 시각) 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드 플래시 샘플을 공개했다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 밝힌 것은 SK하이닉스가 처음이다.
지난 5월 238단 4D 낸드 플래시 반도체 양산을 시작한 데 이어 업계에서 처음으로 개발중인 300단 이상 낸드 샘플 제품을 공개했다.
SK하이닉스는 이날 321단 낸드의 완성도를 높여 오는 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다.
낸드 플래시는 스마트폰·PC 같은 전자기기와 서버에 탑재되는 데이터 저장용 반도체다. 고성능 고용량을 구현하기 위해서는 데이터 저장 공간을 고층 건물처럼 높게 쌓는 것이 중요하다.
SK하이닉스에 따르면 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다.
SK하이닉스 관계자는 이와 관련 “데이터를 저장하는 셀을 더 높이 쌓으면서 웨이퍼(반도체 원료) 1장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문”이라며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 강조했다.
최근 메모리 시장은 챗GPT가 촉발한 생성형 AI 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있다.
SK하이닉스는 이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대 인터페이스를 적용한 기업용 SSD와 UFS 4.0도 이번 컨퍼런스에서 소개했다.
최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 “SK하이닉스는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 밝혔다.
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