SK하이닉스, 낸드 한계 또 뚫었다…세계 첫 321단 개발

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드플래시 샘플을 공개했다. 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화한 것은 SK하이닉스가 세계 최초다.

SK하이닉스가 세계 최초로 개발에 성공한 321단 낸드플래시 메모리. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 ‘적층 기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 “양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 강조했다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 플래시 메모리 서밋 행사에서 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을 공개해 주목 받았다. 미국 마이크론은 지난해 7월 232단 낸드 출하를 시작했고, 삼성전자는 그해 11월 236단으로 추정되는 1Tb 8세대 V낸드 양산을 시작했다.

SK하이닉스 이천 캠퍼스 전경. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 이번에 공개한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb)와 비교해 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓아 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현하게 됨으로써 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(eSSD)와 UFS 4.0도 함께 소개했다. 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보한 만큼 고성능을 강조하는 고객의 요구를 충족시킬 것으로 기대하고 있다.

최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 이날 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

박성국 기자

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