SK '낸드 300층' 첫 돌파···적층 경쟁서 선두 굳히기

■美 플래시메모리 서밋···기술력 뽐낸 韓 기업
기존 238단 대비 생산성 59%↑
2025년 상반기부터 양산 계획
고성능·고용량 낸드 시장 주도

SK하이닉스가 개발한 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드플래시 제품의 모습. 사진 제공=SK하이닉스

[서울경제]

SK하이닉스(000660)가 세계 최고층인 321단 낸드플래시 개발에 성공하면서 또 한 번 업계 최고의 기술력을 과시했다. 치열한 적층 경쟁 속에 처음으로 ‘300단’ 돌파에 성공하면서 주요 경쟁자들보다 한 발 앞서나가게 됐다. 회사는 이 제품을 2025년 상반기부터 양산할 계획이다.

SK하이닉스는 8일(현지 시간) 미국 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드플래시의 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.

이번에 개발한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb) 대비 생산성이 59% 더 높아졌다. 메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다.

낸드는 데이터를 저장하는 셀을 얼마나 더 높이 쌓을 수 있는지에 따라 성능이 결정된다. 더 높은 단수로 쌓아 올릴수록 한 개의 칩에서 구현할 수 있는 용량이 커진다.

SK하이닉스는 2016년 처음으로 36단 낸드를 양산하면서 본격적인 ‘단수 경쟁’에 뛰어들었다. 2019년 128단을 넘어섰고 2021년 176단, 올해 상반기 238단 등 업계 최고층 기록을 경신하며 양산 기록을 쌓아 왔다.

현재 SK하이닉스가 양산하고 있는 238단은 업계 최고층이다. 삼성전자(236단), 미국 마이크론(232단)을 앞서고 있다. 여기에 300단으로 한 단계 치고 나가면서 시장 경쟁력을 더 끌어올릴 단초를 마련했다는 평가다. 시장조사 업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스의 올해 1분기 기준 낸드 시장점유율은 15.3%(솔리다임 포함)로 삼성전자(34.0%), 기옥시아(21.5%)에 이은 3위다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 고속 입출력 인터페이스(PCIe) 5세대 인터페이스를 적용한 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)와 유니버설플래시스토리지(UFS) 4.0도 소개했다. 생성형 인공지능(AI) 시장이 성장함에 따라 급격히 늘어나는 고성능·고용량 메모리 수요에 대응하기 위한 제품이다. 회사는 또 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에도 착수했다고 설명했다.

최정달 SK하이닉스 낸드개발담당(부사장)은 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능·고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

진동영 기자 jin@sedaily.com