SK하이닉스는 8일(현지 시각) 미국 산타클라라에서 열린 낸드 업계 세계 최대 콘퍼런스인 ‘플래시 메모리 서밋 2023′에서 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시 샘플을 공개했다. 지난 5월 238단 4D 낸드플래시 반도체 양산을 시작한 데 이어 업계에서 처음으로 개발중인 300단 이상 낸드 샘플 제품을 공개한 것이다.
낸드플래시는 스마트폰·PC 같은 전자기기와 서버에 탑재되는 데이터 저장용 반도체다. 고용량을 구현하기 위해 데이터 저장 공간을 고층 건물처럼 높게 쌓는 것이 중요하다.
SK하이닉스는 321단 낸드 개발을 가속화해 오는 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다. SK하이닉스에 따르면 이번에 샘플로 공개한 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높이 쌓으면서 웨이퍼(반도체 원료) 1장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.
SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 이날 행사 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 밝혔다.
