SK하이닉스, 최초로 300단 이상 낸드 개발…"차원 다른 기술력"
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SK하이닉스가 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행 중이라고 9일 밝혔다.
SK하이닉스는 8일(현지 시간) 미국 산타클라라에서 개막한 세계 최대 규모의 낸드플래시 컨퍼런스 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표했다.
메모리 반도체 업계에서 300단 이상 낸드플래시의 구체적인 개발 경과를 발표한 것은 SK하이닉스가 처음이다.
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SK하이닉스가 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행 중이라고 9일 밝혔다.
SK하이닉스는 8일(현지 시간) 미국 산타클라라에서 개막한 세계 최대 규모의 낸드플래시 컨퍼런스 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표했다. 개발 단계의 샘플도 함께 전시했다.
메모리 반도체 업계에서 300단 이상 낸드플래시의 구체적인 개발 경과를 발표한 것은 SK하이닉스가 처음이다.
SK하이닉스는 양산 중인 현존 최고층 238단 낸드플래시를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다.
321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층해 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현했기 때문에 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.
SK하이닉스는 최근 생성형 인공지능(AI)의 성장으로 인한 고성능·고용량 메모리 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품도 공개했다. PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0이다.
SK하이닉스는 컨퍼런스에서 공개한 제품들이 고성능을 요구하는 고객들의 니즈를 충족시킬 것으로 기대하고 있다. 아울러 이 제품들을 통해 발전한 회사의 솔루션 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수했다는 연구 성과도 함께 공개했다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획이다.
최정달 SK하이닉스 부사장(낸드 개발담당)은 "당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 하겠다"라며 "AI 시대가 요구하는 고성능·고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보여 혁신을 이끌어 갈 것"이라고 말했다.
오진영 기자 jahiyoun23@mt.co.kr
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