中·日에 밀린 차세대 반도체 특허, K반도체 미래 자신할 수 있나 [사설]

차세대 전력 반도체 소재로 질화갈륨(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 등이 주목받고 있는 가운데 이와 관련한 특허 확보 경쟁에서 한국은 일본과 중국에 턱없이 밀리는 것으로 나타났다. 세계 각국의 차세대 반도체 기술 개발 경쟁이 격화되고 있는데 한국만 손을 놓고 있는 셈이어서 우려를 낳고 있다. 매일경제가 시장조사기관 노메이드의 세계 각국 GaN 반도체 기술 관련 특허 등록 데이터를 분석한 결과 올해 1분기 현재 한국 기업·기관의 누적 특허 등록 건수는 단 3건으로 중국(182건), 미국(42건), 일본(39건)에 비해 크게 떨어졌다. 심지어 후발주자로 꼽히는 인도(4건)에도 밀렸다. 한국은 반도체 강국이라고 자부하고 있지만 차세대 반도체 기술 격차를 좁히지 못하면 미래 반도체 경쟁에서 뒤처질 수밖에 없다.

GaN과 SiC는 기존 실리콘 반도체보다 속도가 100배 빠르고 에너지 소모는 40%가 적어 실리콘을 대체할 '제3세대 반도체'로 부상 중이다. 전기차, 통신, 드론 등 다양한 분야에서 사용될 것으로 전망되고 있다. 특히 차세대 반도체가 각종 방위산업과 위성통신 등에 사용되면서 세계 각국은 안보자산으로 인식하고 집중 투자에 나서고 있다. 가장 적극적인 나라는 중국이다. 중국이 최근 갈륨 수출 통제 카드를 꺼낸 것도 블루오션인 GaN 기반 차세대 반도체 시장을 선점하고 공급망을 틀어쥐려는 전략이 깔려 있다는 분석이 나온다. 차세대 전력 반도체를 미·중 기술경쟁에 활용할 '게임체인저'로 선정하고 집중 육성하고 있는 것이다.

지금은 실리콘이 주력 상품이지만 시장 판도는 빠르게 바뀔 수 있다. GaN 반도체 시장 규모는 지난해 24억7000만달러에서 2030년 296억달러로 10배 이상 늘어날 것이란 전망이 나온다. 차세대 반도체는 신규 투자에서 양산까지 7~10년이 소요된다. 한국이 미온적으로 대응하다가는 10년 후 K반도체의 미래가 어두워질 수도 있다. 중국을 비롯해 각국 기업들은 정부의 지원을 업고 공격 투자를 하고 있는 만큼 우리 정부도 안보자산으로 인식하고 적극 지원에 나서야 한다.