반도체 적자 4.4조 낸 삼성전자 "낸드 추가감산…HBM 생산능력 확대"(종합)

삼성전자가 낸드플래시 등 메모리 분야에서 감산을 통해 재고 정상화를 앞당기고 하반기 반도체 반등을 노립니다.

삼성전자가 낸드플래시의 감산을 공식적으로 결정한 것은 이번이 처음입니다. 

인공지능(AI) 시장 성장에 따라 급부상한 고대역폭 메모리(HBM)는 내년 캐파(Capa, 생산능력)를  두 배 이상 확대할 계획입니다. 

추가 감산 계획…"낸드플래시 위주 큰 폭 조정"
김재준 삼성전자 디지털솔루션(DS·반도체)부문 메모리사업부 부사장은 오늘(27일) 2분기 실적발표회에서 "하반기에도 생산 하향 조정을 지속할 예정"이라고 밝혔습니다. 

삼성전자는 올해 2분기 연결기준 영업이익 6천658억원을 기록했지만 반도체 부문에서 4조3천600억원의 적자를 기록했습니다. 시장의 컨센서스인 3조~4조원 규모보다 하회한 수치입니다.

김 부사장은 "재고 정상화 위해 추가적인 생산 조정을 진행 중"이라며 "낸드플래시 위주 생산하향 조정 큰 폭으로 적용할 예정"이라고 밝혔습니다.

다만, 김 부사장은 "D램과 낸드플래시 등 메모리 재고가 5월 피크아웃(Peak Out·정점)을 찍고 빠른 속도로 감소하고 있다"고 설명했습니다. 

SK하이닉스도 어제(26일) 낸드 분야에서 5~10% 정도 추가 감산을 진행하고 있다고 밝힌 만큼 메모리 분야에서의 업계 감산 대열에 동참해 반도체 반등을 극복하겠다는 전략입니다.

내년도 HBM 생산능력 최소 2배 이상 확보
삼성전자는 올해 1분기와 비교해 메모리 반도체 분야의 둔화폭을 소폭 끌어내린 HBM 등 고부가 메모리 제품에 대한 투자는 확대할 예정입니다. 

김 부사장은 "내년 HBM 캐파는 증설 투자를 통해 올해 대비 최소 두 배 이상 확보했다"며 "향후 수요변화에 추가 대응할 계획"이라고 밝혔습니다.

삼성전자의 올해 2분기 시설 투자액은 14조5천억원으로 2분기 기준 역대 최대치입니다. 이중 반도체에 13조5천억원을 투입할 계획입니다. 동시에 연구개발비는 7조2천억원으로 1분기에 이어 역대 최대치를 경신했습니다.

이어 "HBM3에서도 업계 최고 수준으로 지속적으로 8단 16GB, 12단 24GB 제품을 주요 AI 고객 SOC 업체와 클라우드 업체에 출하를 시작했다"고 설명했습니다.

특히 HBM 시장이 중장기적으로 5년 동안 연평균 30% 성장할 예정인 만큼 지속적인 투자를 확대하겠다는 계획입니다.

김 부사장은 "HBM의 빗그로스(비트단위로 환산한 출하량 증가율)가 지난해보다 15% 넘는 고객을 수주했다"며 "하반기 추가 수주에 대비해 공급역량 확대를 추진 중"이라고 밝혔습니다.

DDR5·LPDDR 등 고부가제품 양산
2분기 메모리 부문의 적자 폭을 줄인 DDR5와 LPDDR 등 고부가제품에 양산 계획도 밝혔습니다.

데이터센터향 AI필요한 고용량 모듈 수요 대응을 위해 32GB DDR5 제품을 연내 출시할 계획입니다. 최근 공개한 GDDR7를 통해서는 주 수요처인 PC, 게이밍뿐 아니라 고성능 컴퓨팅, AI 등에 폭넓게 활용될 것으로 봤습니다.

특히 AI를 기기 자체에서 구현하는 온디바이스 AI 기술이 확대될 것을 예상하면서 추가적인 대책을 마련했습니다. 특히 온디바이스 AI에 활용되는 LLW(저지연 와이드 IO) 확대 목표도 제시했습니다.

김 부사장은 "LLW는 월등히 높은 고대역폭을 가지고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간 처리할 수 있다"며 "온디바이스 성장과 함께 제품 개발을 중에 있으며 2024년 말 양산 목표"라고 밝혔습니다.

동시에 "업계 최초로 LPDDR(모바일용 DDR) 모듈을 개발해 내년 상반기 중 시제품을 양산해 하반기 클라이언트 PC·서버향 저전력 모델에 활용할 것"이라고 밝혔습니다.

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