삼성전자 상반기 반도체 적자만 '9조'에도…"재고 피크 찍었다"

2분기 반도체 적자 4조3600억…전분기보다 2200억 줄여
2분기 DS 시설투자 13.5조…"역대급 투자로 초격차 유지"

경기도 평택 삼성전자 평택캠퍼스. /뉴스1 ⓒ News1 박세연 기자

(서울=뉴스1) 신건웅 기자 = 삼성전자 반도체를 담당하는 DS(Device Solutions) 부문이 올해 2분기에도 4조원이 넘는 적자를 냈다.

다만 재고가 지난 5월 정점을 찍고 줄어들기 시작하면서 1분기보다 적자 폭을 줄였다. 반도체 시황이 바닥을 찍은 것으로 보인다.

삼성전자(005930)는 DS부문의 2분기 매출이 14조7300억원, 영업손실은 4조3600억원이라고 27일 밝혔다. 1분기(-4조5800억원)보다 적자폭을 약 2200억원 줄였다.

메모리반도체는 DDR5와 HBM(고대역폭메모리) 중심으로 AI용 수요 강세에 대응해 D램 출하량이 지난 분기에 예상한 가이던스를 상회하면서 전분기 대비 실적이 개선됐다. 재고도 지난 5월 피크아웃(Peak out)에 진입했다.

시스템LSI는 모바일용 부품 수요 회복이 지연되고 고객사 재고 조정으로 실적 개선이 부진했다.

파운드리는 글로벌 경기 침체로 모바일 등 주요 응용처 수요가 약세를 보인 가운데 라인 가동률이 하락해 이익이 감소했다.

삼성전자는 올해 하반기 △DDR5 △LPDDR5x △HBM3 등 고부가 제품 판매와 신규 수주를 확대해 대응할 방침이다. 또 인프라 및 R&D, 패키징에 투자를 지속하고 GAA(게이트올어라운드) 공정 완성도 향상 등으로 중장기 경쟁력을 강화하기로 했다.

부문별로는 메모리는 하반기 시황과 연계된 유연한 공급 운영을 바탕으로 포트폴리오를 고부가가치·고용량 제품 중심으로 최적화할 예정이다. 특히 고성능 서버와 프리미엄 모바일 제품 분야에서 △DDR5 △LPDDR5x △HBM 등 D램 첨단 제품의 비중을 더욱 확대하고 V7, V8 등 낸드 첨단 공정 비중을 확대한다.

시스템LSI는 모바일 SoC(시스템온칩) 분야에서 플래그십 모델용 제품 성능을 확보하고, 스마트폰 외 신사업 솔루션을 확장하기 위해 고객사와의 협력을 강화할 계획이다. 또 차량용 SoC에서 유럽 OEM 과제 수주에 집중해 응용처 다변화를 지속 추진할 예정이다.

파운드리는 PPA(소비전력·성능·면적)가 개선된 3나노 및 2나노의 GAA 공정 개발 완성도 향상과 대형 고객사 수주 확대를 통해 미래 성장 기반을 마련할 방침이다. 또 8나노 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory) 개발 진행 등 레거시 공정 개발을 지속하고 8인치 오토모티브용 기술 개발 등 제품 포트폴리오를 확대할 계획이다.

삼성전자 반도체 생산라인

한편 삼성전자는 1분기에 이어 2분기에도 사상 최대의 R&D 투자(7조2000억원)와 시설투자(14조5000억원)를 단행했다.

2분기 시설투자 중 13조5000억원이 DS에 집중됐다. 상반기 누계로는 25조3000억원이 집행됐으며, DS부문이 23조2000억원을 차지했다.

메모리의 경우 지난 분기와 유사하게 중장기 공급성 확보를 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자와 첨단공정 수요 대응 목적으로 평택 중심 설비 투자를 진행했다. 또 미래 경쟁력 강화를 위한 R&D 및 후공정 투자도 지속했다.

파운드리는 첨단공정 수요 대응을 위한 미국 텍사스 테일러 및 평택 공장 중심으로 투자가 진행됐다. 디스플레이는 중소형 모듈 보완 및 인프라 투자가 집행됐다.

삼성전자는 시장과 고객 수요에 신속하고 탄력적으로 대응하기 위해 경기도 평택과 미국 테일러에 파운드리 반도체 클린룸을 선제적으로 건설하고 있으며(쉘퍼스트 전략), 2027년 클린룸의 규모는 2021년 대비 7.3배 확대될 전망이다.

keon@news1.kr