삼성 “시스템 반도체 쌓겠다”…3D 적층 기술개발 돌입[숏잇슈]

삼성전자가 시스템 반도체(로직) 소자를 수직으로 쌓는 '3D 적층' 기술 연구개발(R&D)에 돌입했습니다.

3D 적층은 반도체 회로 미세화 한계로 인한 전류 누설 등을 극복하고 성능을 끌어올릴 방법으로 주목받는 기술로, 업계와 학계에서 'CFET'이라는 이름으로 연구를 이어오고 있습니다. 삼성전자가 기존 메모리에서만 적용됐던 3D 구조 혁신을 시스템 반도체까지 확대, 첨단 반도체 기술 주도권을 확보할지 주목됩니다.

삼성전자는 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'를 수직으로 쌓아올리는 기술을 개발 중인 것으로 파악됐습니다. 삼성전자 DS부문 반도체연구소와 파운드리 사업부에서 관련 R&D를 함께 추진하고 있습나다. 3D 구조를 차세대 GAA기술로 선택하고 본격적인 상용화를 위한 연구개발에 돌입한 것으로 풀이됩니다.

3D GAA는 지금까지 메모리에서만 통용되던 3D 적층 구조를 시스템 반도체까지 저변을 넓힐 수 있다는 데 의미가 있습니다. 3나노 이하 미세 공정에서 기존 핀펫 구조가 한계에 직면하자 GAA로 트랜지스터 구조 패러다임을 바꿨듯 1나노 이하에서는 3D GAA 구조로의 전환이 다시 전환될 것이란 전망입니다.

※[숏잇슈]는 'Short IT issue'의 준말로 AI가 제작한 숏폼 형식의 뉴스입니다.

권동준 기자 djkwon@etnews.com