로옴, 저손실·소형화에 기여하는 EcoGaN™ 파워 스테이지 IC 'BM3G0xxMUV-LB' 개발

EcoGaN™ 파워 스테이지 IC(제공:로옴)

로옴(ROHM) 주식회사(이하 로옴)가 산업기기, AC 어댑터 등의 민생기기에서 사용되는 파워 스테이지 IC 'BM3G0xxMUV-LB'(BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB)를 개발했다고 20일 밝혔다.

최근 지속 가능한 사회의 실현을 위해 민생기기 및 산업기기의 전원에는 저전력화가 요구되고 있다.

파워 스테이지 IC 'BM3G0xxMUV-LB' 라인업

신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 하나의 패키지에 탑재했다. 또한 폭넓은 구동전압 범위(2.5V~30V) 등, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구비해 기존의 실리콘 MOSFET(Super Junction MOSFET, 이하 Si MOSFET)의 대체 사용이 용이하다. 이에 따라 Si MOSFET에 비해 부품 체적을 약 99％, 전력 손실을 약 55％ 삭감할 수 있어 저손실화와 소형화를 동시에 실현할 수 있다.

한편 신제품은 올해 6월부터 양산을 개시했고 평가보드 3개 제품(BM3G007MUV-EVK-002, BM3G007MUV-EVK-003, BM3G015MUV-EVK-003)과 함께 온라인 부품 유통 사이트에서 구입할 수 있다.

전자신문인터넷 구교현 기자 kyo@etnews.com