삼성전자 '3나노 상용칩' 암호화폐 채굴기서 첫 확인

지난해 6월 세계 첫 양산···GAA 기술 첫 적용된 공정

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자의 3나노미터(nm, 1나노는 10억 분의 1m) 공정 기반 칩이 중국 암호화폐 채굴기에서 목격됐다.

19일 반도체 전문 조사업체 테크인사이츠에 따르면 중국 암호화폐 채굴기 업체 마이크로BT의 채굴 장비 '왓츠마이너 M56S++'에 삼성전자의 3나노 게이트올어라운드(GAA) 기반 칩이 적용됐다. 삼성전자의 3나노 상용 칩이 확인된 것은 이번이 처음이다.

삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 반도체 양산에 돌입했다.

삼성전자 파운드리사업부가 지난해 6월 화성캠퍼스 3나노 양산라인에서 3나노 웨이퍼를 보여주고 있는 모습. [사진=삼성전자]

당시 삼성은 고객사를 밝히지 않았지만 중국 암호화폐 채굴용 반도체 설계기업(팹리스)이라는 관측이 나왔다. 마이크로BT는 팹리스 판세미를 자회사로 두고 있다.

삼성전자는 3나노 공정부터 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트(Gate)가 둘러 싸는 형태인 차세대 GAA 기술을 세계 최초로 적용했다.

채널의 3개면을 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교해 GAA 기술은 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로 손꼽힌다.

삼성전자 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16%가 축소됐다. GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35%가 축소된다. 삼성전자는 내년 3나노 2세대 공정 기반 반도체를 양산할 예정이다.

삼성전자 관계자는 "반도체 위탁생산(파운드리) 산업은 에너지 효율이 높은 컴퓨팅 기기를 위한 기술을 개발해야 한다는 과제에 당면했다"며 "삼성전자만의 GAA 기술은 높은 설계 유연성을 가지고 있다"고 강조했다.

/민혜정 기자(hye555@inews24.com)