中 반도체 경쟁력, 韓 반도체와 몇년 격차인가 보니…

KIEP, 낸드플래시 2년·D램 5년 기술격차 분석
최태원 "한번 주도권 잃으면 회복되지 않아"

[상하이=신화/뉴시스]중국 동부 상하이에 있는 한 반도체 회사의 작업장에서 직원들이 일하고 있는 모습. 2022.11.17.

[서울=뉴시스]이현주 기자 = 중국 반도체 제조 경쟁력과 삼성전자·SK하이닉스 등 글로벌 선두기업과의 기술 격차가 2~5년 수준이라는 분석 결과가 나왔다.

18일 업계에 따르면 대외경제정책연구원(KIEP)은 최근 이같은 내용을 담은 '중국의 반도체 국산화 추진 현황과 시사점' 보고서를 공개했다.

보고서에 따르면 중국의 반도체 제조 경쟁력은 글로벌 선두기업과 낸드 플래시의 경우 2년, D램은 5년, 파운드리(로직 반도체 제조)는 5년 정도의 기술 격차가 있다.

낸드 분야에서 중국 대표 메모리 반도체 제조업체인 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)의 경우 현재 128단 6세대를 양산 중이다. 반면 삼성전자는 236단 8세대, SK하이닉스는 176단, 미국 마이크론은 232단을 양산하고 있다.

D램의 경우 중국 CXMT는 1세대 19nm(나노미터·1nm은 10억분의 1m)를 양산 중이다. 이에 반해 삼성전자는 4세대(1a·14nm), SK하이닉스는 4세대(1a), 미국 마이크론도 4세대(1a)를 양산하고 있다.

파운드리도 삼성전자와 대만 TSMC는 각각 3nm를 양산하고 있는 반면, 중국 SMIC는 14nm를 양산 중이다.

중국은 반도체 제조장비의 대부분을 해외 기업에 의존해왔으나, 로컬 파운드리 업체들이 반도체 공급망 안정화 차원에서 국산화에 대한 투자를 늘리면서 지난해 반도체 장비 국산화율이 크게 높아졌다.

국제반도체산업협회(SEMI)에 따르면 2012~2022년 중국 반도체 장비 시장은 연평균 27%씩 성장했으며, 지난해 중국 반도체 장비 국산화율은 35%로 전년 대비 14%포인트 상승했다.

보고서는 주요국의 대중국 수출통제 조치가 단기적으로 첨단반도체의 중국 내 유입을 막고, 중국 내 반도체 생산비용을 증가시켜 반도체 국산화에 영향을 줄 것으로 봤다.

아직까지 중국 반도체 장비업체가 보유한 기술 수준이 높지 않고, 미세공정에 필수적인 노광장비의 국산화 진행률이 높지 않기 때문에, 중국은 다양한 방식으로 반도체 국산화를 추진하고자 할 것이라는 분석이다.

특히 지난해 12월 미국 상무부 규제 리스트에 YMTC가 등재돼 장비 조달과 상품 수출이 어려워지는 등 기업별 규제가 이어지면서, 기술인력 유치, 기업 인수 등을 통한 기술 노하우 획득 시도가 이어질 가능성이 있다고 예상했다.

오종혁 전문연구원은 "중국은 국유자본이 투입된 중점기업을 중심으로 반도체 제조 기술과 노하우가 빠르게 축적되고 있다"며 "국가적 지원이 지속적으로 유지된다면 중국 시장은 로컬 기업 중심으로의 근본적인 변화가 예상되며, 일부 기업은 글로벌 수준의 경쟁력을 보유할 가능성도 있다"고 예측했다.

첨단반도체의 경우 제조공정에 대한 다양한 특허장벽으로 기술 난관 극복이 쉽지 않으나, 차세대 전력 반도체 분야는 중국이 5~10년 내 선도할 수 있다는 평가다.

오 연구원은 "중국은 전기차 등에 사용되는 차세대 전력 반도체에 대한 지원을 확대하고 경쟁력 확대를 추진하고 있다"며 "이에 대한 모니터링이 필요하다"고 밝혔다.

한편 최태원 SK그룹 회장은 최근 기자간담회를 통해 중국의 기업 경쟁력과 관련, "우리(기업)만으로는 이길 수 없는 게임이 시작됐다"고 우려한 바 있다.

최 회장은 "한 번 주도권을 잃으면 회복하는 것이 쉽지 않다"며 "기업과 정부, 민과 관이 '원팀'이 되어서 잘 대응해야 한다"고 말했다.

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