최시영 삼성전자 사장 "日서도 반도체 R&D 강화하겠다"

파운드리 포럼 서울서 개최···AI 시대 대응할 반도체 개발 강조

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 일본에서도 반도체 R&D(연구·개발)을 강화하겠다는 입장을 내비쳤다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서 이같이 강조했다.

삼성전자는 지난 3월 일본 내 연구·개발(R&D) 거점인 '디바이스솔루션리서치저팬(DSJR)'을 요코하마에 설립했다. 일본 각지에 분산됐던 연구 조직을 하나로 통합해 출범했다.

최시영 사장은 "R&D 역량 강화는 우리의 가장 중요한 핵심 가치 중 하나"라며 "R&D 단지를 기흥에서 조성 중이고, 한국과 미국에 이어 일본에서도 연구소를 새롭게 준비 중"이라고 말했다.

삼성전자는 반도체 업황이 어려운 상황 속에서도 계획대로 설비투자(CAPEX, 캐펙스)를 진행 중이다.

최시영 사장은 "캐펙스는 계획대로 진행 중"이라며 "거점 지역별 생산능력(캐파)도 빠르게 증가하고 있다"고 자신했다.

이날 삼성전자는 인공지능(AI)이 게임체인저가 됐다며, 반도체도 AI에 초점을 맞춰 개발해야 한다고 강조했다.

최 사장은 "80년대 말 인터넷 혁명, 2000년대 스마트폰 혁명이 있었고 이젠 AI"라며 "특히 챗GPT 같은 생성 AI는 인간의 행위를 보완하는 걸 넘어 창조 영역까지 확대됐다"고 말했다.

이어 "범용인 아닌 맞춤형 AI 시대가 됐다"며 "데이터센터, 자동차 등 특화된 전용 AI 칩 개발에 적극적으로 나서야 할 시기"라고 덧붙였다.

삼성전자는 AI 반도체 개발에 게이트올어라운드(GAA) 기술의 활용도를 기대했다.

반도체의 구성을 이루는 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널과 채널을 제어하는 게이트로 구분되는데, GAA는 채널의 4면을 게이트가 둘러싸고 있다. 트랜지스터는 게이트와 채널의 접촉면이 많을수록 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있다.

이에 따라 GAA는 반도체의 전류 흐름을 세밀하게 제어하는 등 채널 조정 능력이 높아지는 효과를 볼 수 있다. 게이트와 채널이 3면에서 맞닿아 있는 기존 핀펫 구조보다 GAA가 전력효율을 높일 수 있는 셈이다.

최시영 사장은 "삼성 파운드리는 고객 지원을 위해 다양한 솔루션을 고민 중"이라며 "GAA는 낮은 전력에서 높은 성능을 구현할 수 있는 기술"이라고 강조했다.

/민혜정 기자(hye555@inews24.com)

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