TSMC와 벌어지는 격차… 삼성전자, 첨단 기술개발로 맹추격

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁 생산) 기술개발에 집중한다. 사진은 삼성전자 화성캠퍼스 파운드리 공장 전경. /사진=삼성전자 제공

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁 생산) 글로벌 1위 업체인 대만 TSMC를 따라잡기 위해 기술개발에 총력을 기울인다. TSMC와의 글로벌 점유율 격차가 벌어지고 있는 상황에서 주목된다.

29일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 삼성전자의 글로벌 파운드리 점유율은 12.4%를 기록했다. 전 분기(15.8%) 대비 3.4%포인트 하락이다. 같은 기간 TSMC의 점유율은 58.5%에서 60.1%로 1.6%포인트 늘었다. 삼성전자와 TSMC의 격차는 42.7%포인트에서 47.7%포인트로 확대됐다.

삼성전자는 기술혁신을 통해 TSMC의 점유율을 추격할 방침이다. 최근 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고 파운드리 선단 공정 리더십을 강화하겠다고 공언했다.

해당 포럼을 통해 삼성전자는 오는 2025년 모바일 향 중심으로 2나노 공정(SF2)을 양산하고 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC) 향 공정, 2027년 오토모티브(차량) 향 공정으로 확대할 계획이라고 밝혔다. 최첨단 SF2 공정은 SF3 대비 성능과 전력 효율이 각각 12%, 25% 향상된 게 특징이다. 1.4나노 공정은 계획대로 2027년 양산할 방침이다.

업계에서는 삼성전자의 기술 발전 속도가 TSMC를 앞선다고 평가한다. 삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 3나노 공정을 양산한 바 있다. TSMC의 3나노 공정 양산은 삼성전자보다 6개월 늦은 2022년 12월이다. 2나노 공정 양산은 삼성전자와 같이 2025년으로 예정됐다. 1.4나노 공정 양산과 관련해서는 구체적인 계획이 나오지 않았으나 2027~2028년 이뤄질 것이란 시각이 있다.

삼성전자가 TSMC를 뛰어넘기 위해서는 수율 안정화와 캐파(CAPA·생산능력) 확대가 필요하다는 의견이 많다. 삼성전자의 구체적인 파운드리 수율은 공개되지 않았으나 한때 수율 문제로 핵심 고객사가 이탈할 수 있다는 우려가 제기된 점을 감안, TSMC에는 못 미칠 것으로 전망된다. 캐파 역시 TSMC의 3분의1 정도인 것으로 알려졌다.

김동욱 기자 ase846@mt.co.kr
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