하이닉스 ‘5세대 10나노급 D램’ 삼성 추격
이해인 기자 2023. 5. 31. 03:03
기술개발 완료 검증절차 돌입
SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노(㎚·1나노는 10억분의 1미터)급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고 인텔의 검증 절차에 돌입했다. 앞서 삼성전자가 동급 제품을 세계 최초로 양산한다고 발표한 지 약 열흘 만이다. 차세대 D램을 두고 두 기업의 경쟁이 치열해질 것이라는 전망이 나온다.
30일 SK하이닉스는 5세대 기술이 적용된 서버용 DDR5<사진>를 인텔에 제공해 인텔이 검증 절차를 밟고 있다고 밝혔다. 5세대 기술이 적용된 DDR5 제품이 전 세계 중앙처리장치(CPU) 시장의 약 70%를 차지하고 있는 인텔의 서버용 플랫폼 호환성 인증을 받는 건 이번이 처음이다. SK하이닉스가 개발한 DDR5의 동작 속도는 6.4Gbps로 현재 시장에 나와 있는 제품 중 최고 속도를 구현했다. 이는 1초에 5GB(기가바이트)짜리 FHD(풀HD) 영화 10편을 한꺼번에 처리할 수 있는 속도다. 하이닉스 관계자는 “기존 4세대 제품과 비교해 14%가량 처리 속도가 빨라진 것”이라고 말했다.
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