삼성전자 '12나노급 D램' 세계 첫 양산

반도체 업황부진 뚫을 야심작
생산성 20%·소비전력 23% ↑

삼성전자가 메모리반도체 업계 최선단(최소 선폭) 공정으로 차세대 D램 양산을 시작했다. 최악의 반도체 업황 부진이 지속되는 가운데 생성형 인공지능(AI)·데이터센터 시장을 선점하기 위한 '야심작'으로 꼽힌다.

18일 삼성전자는 최선단 기술을 적용한 12나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산에 들어갔다고 밝혔다. D램 미세공정 경쟁에서 업계 1위의 기술 경쟁력을 굳히고, 다가올 경기 상승 국면에 대비하기 위한 것이다.

12㎚급 공정은 5세대 10㎚급 공정을 뜻한다. 삼성전자가 구체적 선폭을 공개한 것은 삼성전자의 미세공정 기술력을 강조하기 위한 차원으로 해석된다.

12㎚급 D램은 이전 세대 제품에 비해 생산성이 20%가량 향상됐고, 소비전력은 23% 개선됐다. 데이터센터 등의 운영에 있어서 전력효율을 높일 수 있다는 의미다.

DDR5 규격의 12㎚급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(초당 기가비트)를 지원한다. 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 이주영 삼성전자 부사장은 "대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능·고용량을 확보하고 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속적으로 선도해나갈 것"이라고 강조했다.

[최승진 기자 / 이새하 기자]