삼성전자, 업계 최선단 12나노급 D램 양산… DDR5 확대 주도

생산성 20%·소비전력 23% 개선
탄소배출·에너지 사용 감축 장점
D램 미세공정서 기술경쟁력 굳혀

삼성전자가 새롭게 양산하는 12나노급 16Gb DDR5 D램. 삼성전자 제공

삼성전자가 지난해 12월 개발에 성공했던 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램 양산을 시작하며 D램 미세공정 경쟁에서 기술경쟁력을 더욱 확고히 했다. 최근 메모리반도체 불황 장기화를 DDR5 등 차세대 제품 전환의 밑거름으로 활용한다는 전략이다.

삼성전자는 최근 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다.

이번에 삼성전자가 양산하는 12나노급 공정은 업계에서는 뭉뚱그려 '5세대 10나노급 공정'으로 불린다. D램 제조사들은 회로 선폭을 줄여 집적도를 높이는 방향으로 미세공정 기술 경쟁을 벌이고 있다. 삼성전자는 지난해 상반기 4세대 10나노급 D램인 14나노 공정 D램을 양산했으며, 지난해 연말에는 12나노급 공정 개발에 성공했다.

최선단 기술을 적용한 이번 신제품은 전 세대 제품과 비교해 생산성이 약 20%, 소비전력이 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어, 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 적극 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다.

삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터, 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 12나노급 D램을 포함해 DDR5 비중을 점진적으로 확충해 나가며 수익성이 높은 차세대 메모리 시장에서의 경쟁력을 확보해 나가겠다는 의미다.

최근 메모리 시장은 업황 하락으로 불황을 겪고 있으나, 업계에서는 시장이 내년부터 다시 큰 폭의 성장세로 전환될 것으로 관측하고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 D램 시장 성장 전망은 매년 증가해 오는 2027년에는 올해 대비 두 배 이상 규모가 커질 것으로 예상된다.

최근 삼성전자는 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 생산라인에 웨이퍼 투입량을 줄이며 감산을 추진하고 있다. 감산 라인은 DDR4 등 구형 공정 위주다.

범용 제품은 이미 충분한 재고가 쌓여 있어 수요 대비 공급이 충분하기 때문이다. 반면 DDR5 등 첨단 공정의 경우 신형 CPU(중앙처리장치) 출시 소식 등에 힘입어 여전히 견조한 수요를 유지하고 있는 것으로 알려져 있다. 옴디아는 전체 D램 시장에서 지난해 3%의 점유율 수준에 불과했던 DDR5 출하량은 올해 12%로 상승한 후, 내년에는 27%를 기록해 DDR4의 점유율을 추월할 것으로 전망한 바 있다.

이와 관련, 삼성전자는 지난달 말 진행한 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "DDR5는 아직 고객의 재고 수준이 낮아 수요가 추가적으로 증가할 것으로 보고 있다"며 "DDR5 선단공정 전환을 가속화해 지속적으로 제품 경쟁력을 확대할 것"이라고 언급한 바 있다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"며, "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.

전혜인기자 hye@dt.co.kr