삼성전자 ‘12나노급 D램’ 세계 첫 양산
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삼성전자가 18일 세계에서 가장 미세한 최선단 12나노(㎚·10억 분의 1m)급 공정을 적용해 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산을 업계 최초로 시작했다.
삼성전자는 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용해 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐고, 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다고 이날 밝혔다.
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삼성전자가 18일 세계에서 가장 미세한 최선단 12나노(㎚·10억 분의 1m)급 공정을 적용해 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산을 업계 최초로 시작했다.
삼성전자는 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용해 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐고, 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다고 이날 밝혔다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는 데 적극적으로 동참하고 있는 글로벌 정보기술(IT) 기업들에 최상의 솔루션이 될 것이라고 삼성전자는 의미를 부여했다. 삼성전자는 “유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸는데 이렇게 되면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다”고 설명했다. DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2기가비피에스(Gbps·초당 기가비트)를 지원한다. 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 “대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 선도하겠다”고 말했다.
이승주 기자 sj@munhwa.com
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