삼성 ‘메모리 초격차’ 12나노급 D램 양산

생산성 20%↑ ·소비전력 23%↓

삼성전자가 30년간 D램 시장에서 선두를 달리고 있는 가운데, 12나노급 제품(사진) 양산에 성공하며 또다시 초격차 기술을 확보했다.

18일 삼성전자는 업계 최선단 12나노급(5세대 10나노급 공정) 공정으로 16Gb(기가비트) 더블데이터레이트5(DDR5) D램 양산을 시작, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확보했다고 밝혔다. ▶관련기사 10면

해당 제품은 이전 세대보다 생산성이 약 20% 향상되고, 소비 전력은 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등에 대한 전력 운영 효율을 높일 수 있게 됐다.

삼성전자 측은 “탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는 데 적극 동참하고 있는 글로벌 정보기술(IT)기업들게 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다”고 설명했다.

삼성전자는 최선단 기술을 구현하기 위해 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터 용량을 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 부사장은 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

김지헌 기자

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