삼성전자, 12나노급 D램 양산…"D램 시장 선도할 것"

이전 세대 제품보다 생산성 20%↑·소비전력 23%↓

삼성전자 제공

삼성전자가 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 23나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 뜻한다.

삼성전자는 12나노급 D램에 최선단(Advanced‧첨단) 기술을 적용해 이전 세대 제품보다 생산성이 약 20% 향상됐다고 설명했다. 

또 소비 전력이 23% 개선돼 데이터센터 등의 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이기 위한 글로벌 IT 기업에 최고의 솔루션이 될 것으로 삼성전자는 기대했다.

DDR5 규격의 12나노급 D램의 최고 동작 속도 7.2Gbps다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 확대해 △데이터센터 △인공지능 △차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

삼성전자는 지난해 12월 12나노급 D램의 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고, 글로벌 IT 기업과 협력하고 있다.

삼성전자 이주영 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"면서 "고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 선도할 것"이라고 말했다.

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CBS노컷뉴스 장성주 기자 joo501@cbs.co.kr

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