삼성전자, '업계 최선단' 12나노급 D램 양산

/사진제공=삼성전자

삼성전자가 업계 최선단 12나노급(nm, 1nm는 10억분의 1m) 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 이번 양산으로 삼성전자는 글로벌 D램 미세공정 경쟁에서 차별화된 기술경쟁력을 증명했다.

삼성전자는 양산을 시작한 12나노급 D램이 전 세대(14나노) 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐고, 소비전력은 23% 가량 개선됐다고 밝혔다. 소비전력이 개선되면 데이터센터 등의 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 삼성전자는 최근 글로벌 IT기업들이 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 초점을 맞추고 있다는 점을 감안할 때, 맞춤형 솔루션이 될 수 있다고 기대한다.

D램은 커패시터(Capacitor)에 저장된 전하로 1과 0을 구분하는데, 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다. 삼성전자는 유전율이 높은 신소재를 적용해 커패시터의 용량을 늘렸다. 또 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(1초당 전송되는 기가 비트 단위의 데이터)를 지원한다. 이는 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장(부사장)은 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 주도하고 있다.

한지연 기자 vividhan@mt.co.kr