경계현 삼성전자 사장 "5년 내 TSMC 기술 따라잡겠다" [biz-플러스]

경계현, KAIST 학생들 상대로 강연
TSMC와 2나노 GAA 동등 수준 목표 제시
2028년까지 슈퍼컴퓨터 개발 비전도

[서울경제]

경계현 삼성전자 사장이 5년 안에 파운드리(반도체 위탁 생산) 1위 TSMC의 2㎚(나노미터·10억 분의 1m) 기술을 따라잡겠다고 밝혔다. 경쟁사와 기술 격차가 좁아진 메모리 시장에서도 슈퍼컴퓨팅용 고성능 메모리 등으로 삼성전자의 ‘초격차’ 위상을 회복한다는 포부다.

경 사장은 4일 대전 KAIST에서 열린 ‘삼성 반도체의 꿈과 행복:지속 가능한 미래’ 강연에서 “냉정하게 (현재 구현 중인) 4나노 공정은 완성도 면에서 TSMC에 2년쯤 뒤져 있다”면서 “5년 후에는 TSMC와 동등한 기술로 세계 최고가 돼보자는 게 목표”라고 말했다.

삼성전자는 세계에서 처음으로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 기반으로 3나노 파운드리 양산을 시작했다. TSMC는 기존 반도체 소자 구조인 핀펫으로 3나노를 구현했고 향후 2나노에서 GAA를 도입할 방침이다.

현재까지는 완성도만 놓고 봤을 때 최첨단 3나노 소자 구조로도 세계 파운드리 1위 TSMC의 기술을 잡기 어려운 상황이다. 그러나 지금부터 GAA 기술력을 다진다면 조만간 다가올 2나노 시대에서는 동등한 기술 수준으로 더욱 치열하게 경쟁할 수 있다는 것이 경 사장의 생각이다.

삼성전자는 2019년부터 ‘2030년 시스템반도체 1위 비전’ 목표 아래 TSMC를 누르고 선두를 차지하기 위해 파운드리 사업을 적극 육성하고 있다. 삼성전자는 2019년 당시 세계에서 처음으로 극자외선(EUV) 노광을 도입한 7나노 기술을 구현하는 등 선단 기술 경쟁력 확보에 주력 중이다.

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“메모리도 5년 내 ‘초격차’ 위상 회복”

경 사장은 7~8년 전 메모리 시장에서 삼성전자의 위상을 5년 내에 회복하기 위해 노력하겠다고 역설했다. 현재 D램·낸드플래시 메모리 1위 삼성전자는 SK하이닉스, 미국 마이크론테크놀로지 등 경쟁사들로부터 기술 분야에서 거센 도전을 받고 있다. 그는 “한때 삼성전자의 D램 이익 점유율이 60%에 육박하던 시절이 있었지만 지금은 그런 수준이 아니다”라며 “5년 안에 다시 예전 수준으로 만드는 것이 목표”라고 전했다.

경 사장은 이번 강연에서 슈퍼 컴퓨팅 분야 신규 메모리 기술에 대한 도전도 밝혔다. 그는 2028년까지 슈퍼컴퓨터와 이 기기에 탑재되는 고성능 메모리를 만들겠다는 구상을 설명했다. 경 사장은 “삼성종합기술원에서 메모리 중심의 슈퍼컴을 한번 만들어보려고 한다”며 “현재 구조와는 달리 중앙처리장치(CPU)도 바쁘게 일할 수 있는 환경을 조성해보는 것이 목표”라고 말했다.

대전=강해령 기자 hr@sedaily.com