5월 과학기술인상에 울산과학기술원 신현석 교수 선정

반도체 미세공정 한계 돌파할 비정질 질화붕소 박막 합성 성공
우리나라 반도체 초격차 전략 이어갈 핵심 소재 기술로 발전 가능

▲ 23년 5월 수상자(신현석 교수) 주요 연구성과 사진 : 과학기술정보통신부

과학기술정보통신부(장관 이종호)와 한국연구재단(이사장 이광복)은 이달의 과학기술인상 5월 수상자로 울산과학기술원(UNIST) 화학과 신현석 교수를 선정했다고 밝혔습니다.

'이달의 과학기술인상'은 우수한 연구개발 성과로 과학기술 발전에 공헌한 연구개발자를 매달 1명씩 선정하여 과기정통부 장관상과 상금 1천만 원을 수여하는 상입니다.

과기정통부와 연구재단은 신현석 교수가 초미세, 고집적 반도체 핵심기술인 초저유전물질 합성법을 개발하여 반도체 미세공정 혁신 기반을 마련한 공로를 높이 평가했다고 밝혔습니다.

전통적으로 반도체 칩 성능은 트랜지스터의 스위칭 속도에 좌우됐지만, 소자가 고집적화·소형화되면서 집적회로의 배선 구조에서 발생하는 '신호전달 지연(RC delay)'이 칩 성능을 좌우하고 있습니다.

이에 따라 신호처리 속도를 높이기 위해 집적회로 금속 배선 사이에 증착되는 절연체 유전율을 낮추는 기술이 요구되고 있습니다.

▲ 23년 5월 수상자(신현석 교수) 주요 연구성과 사진 : 과학기술정보통신부

'초저유전율 절연체'는 유전율을 줄이는 핵심 소재입니다.

신현석 교수 연구팀은 순수한 비정질 질화붕소(aBN)가 유전율(1.89)이 매우 낮아, 메모리 반도체와 시스템 반도체 전반에 적용 가능한 소재임을 밝혀냈습니다.

나아가 화학기상증착(CVD) 방법에 플라즈마 기술을 도입하여, 3nm 두께의 매우 얇은 비정질 질화붕소(aBN) 박막 증착에 성공하였습니다.

신현석 교수는 "초저유전물질 원천소재 개발은 반도체 칩 전력소모를 줄이고, 정보 처리속도를 높일 수 있는 핵심기술"이라며 "우리나라 반도체 초격차 전략을 이어갈 핵심 소재 기술로 발전할 수 있도록 후속 연구에 매진하겠다"라고 밝혔습니다.