반도체 핵심기술 개발한 신현석 교수, 5월의 과기인상 선정

(서울=뉴스1) 김승준 기자 = 과학기술정보통신부와 한국연구재단은 이달의 과학기술인상 5월 수상자로 신현석 울산과학기술원(UNIST) 화학과 교수를 선정했다고 3일 밝혔다.

과기정통부와 연구재단은 신현석 교수가 초미세, 고집적 반도체 핵심기술인 초저유전물질 합성법을 개발해 반도체 미세공정 혁신 기반을 마련한 공로를 높이 평가했다.

소자가 고집적화·소형화되면서 반도체 칩은 신호처리 속도를 높이기 위해서 집적회로 금속 배선 사이에 들어가는 절연체의 유전율을 낮추는 기술이 필요해졌다.

신현석 교수가 개발한 '초저유전율 절연체'는 유전율을 줄이는 소재이다.

신현석 교수 연구팀은 순수한 비정질 질화붕소(aBN)가 유전율이 매우 낮아 메모리 반도체와 시스템 반도체 전반에 적용 가능한 소재임을 밝혔다. 나아가 화학기상증착(CVD) 방법에 플라즈마 기술을 도입해 3㎚ 두께의 박막 증착에 성공하였다.

실험결과 비정질 질화붕소(aBN) 박막은 유전율이 낮을 뿐만 아니라 기계적·전기적 성질도 우수해 금속 원자의 이동을 막는 방지막으로도 적용 가능함이 확인됐다. 연구 성과는 국제학술지 네이처(Nature)에 2020년 6월 발표됐다.

더불어 신 교수 연구팀은 같은 질화붕소 소재인 육방정계 질화붕소(hBN)를 이용해 박막의 층수를 조절할 수 있는 단결정 hBN 합성법을 개발하여 반도체 소재의 대면적화 해법도 제시했다. 이 내용은 네이처(Nature)에 2022년 6월 게재됐다.

신현석 교수는 "초저유전물질 원천소재 개발은 반도체 칩 전력소모를 줄이고, 정보 처리속도를 높일 수 있는 핵심기술"이라며 "우리나라 반도체 초격차 전략을 이어갈 핵심 소재 기술로 발전할 수 있도록 후속 연구에 매진하겠다"고 말했다.

seungjun241@news1.kr

IT/과학