SK하이닉스 차선용 부사장, 과학기술훈장 혁신장 수상

기사내용 요약
D램 메모리 발전 공헌…HBM 리더십 강화 역할

[서울=뉴시스] SK하이닉스 미래기술연구원 담당 차선용 부사장. (사진=SK하이닉스 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK하이닉스는 차선용 미래기술연구원 담당 부사장이 D램 메모리 발전 공로로 지난달 '2023년 과학·정보통신의 날 기념식'에서 과학기술훈장 혁신장을 받았다고 3일 밝혔다. 과학기술훈장은 국가 과학기술 발전에 기여한 사람에게 수여되는 최고 영예의 상으로, 혁신장은 최고 영예인 창조장 다음 두 번째로 상격이 높다.

차 부사장은 10나노급 D램 테크 플랫폼(Tech Platform)을 도입해 다음 세대 미세 공정의 기틀을 마련한 공로로 이 상을 수상했다. 테크 플랫폼은 어느 한 세대 제품에만 적용하는 기술이 아니라, 여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 '기술적인 틀'이다.

차 부사장은 2019년 당시 최고 속도인 HBM2E(High Bandwidth Memory 2 Extended)를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도하고, HBM 기술 리더십을 강화하는 데 큰 역할을 했다.

그는 특히 세계 최초로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 출시해 대한민국 반도체 산업이 빅데이터와 서버 시장 우위를 점하는 데도 기여했다. 10나노급 4세대 LPDDR4 D램 양산 시 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입해 차세대 기술 개발의 기반을 조성했다는 평가다. 지난해부터는 SK하이닉스 미래기술연구원을 맡아 컴퓨팅 환경 변화에 따른 새로운 기술을 준비하는 일에 중점을 둔 연구를 벌이고 있다.

차 부사장은 "메모리는 600개 이상의 수많은 공정을 거쳐야 비로소 완성된다"며 "이 모든 과정을 함께한 사람들과 이뤄낸 혁신의 성과"라고 말했다.

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