"수율 극대화"···어플라이드, 전자빔 계측 장비 '베리티SEM 10' 선봬

하이-Na EUV 리소그래피에도 적합···전작보다 스캔 속도 30% 빨라져

[아이뉴스24 민혜정 기자] 반도체 장비기업 어플라이드 머티어리얼즈가 미세 공정 생산 수율을 극대화할 수 있는 전자빔 계측 장비를 선보였다.

어플라이드는 24일 온라인 기자간담회를 열고 새로운 전자빔 계측 시스템 '베리티SEM(VeritySEM) 10'을 공개했다.

신제품은 극자외선(EUV), EUV보다 진화된 하이-NA EUV 리소그래피(반도체 기판에 집적회로를 만드는 기술) 공정으로 패터닝된 반도체 소자의 패턴 거리측정(CD)을 정밀하게 측정하도록 설계됐다.

어플라이드 머티어리얼즈의 '베리티SEM 10' 장비. [사진=어플라이드 머티어리얼즈]

반도체 제조사들은 리소그래피 스캐너가 마스크에서 포토레지스트로 패턴을 형성하면 패턴 거리측정 주사전자현미경(CD-CEM)을 사용해 이를 서브 나노미터(0.1나노) 단위로 측정할 수 있다.

새로운 시스템은 기존보다 분해능이 2배 높고 스캔 속도가 30% 빨라 반도체 제조사들이 공정 개발을 가속하고 대량 생산 수율을 극대화할 수 있다.

반도체 소자의 패턴 거리 측정은 특히 하이-NA 공정에서 포토레지스트 두께가 얇아지면서 점점 어려워지고 있다.

이에 따라 정확한 계측을 위해 CD-SEM이 극도로 얇은 포토레지스트가 점유한 좁은 공간에 얇은 전자빔을 정확하게 조사하는 기술이 필요하다.

반도체 업체들은 게이트올어라운드(GAA) 로직 트랜지스터, 3D 낸드 메모리 등의 패턴 거리 측정 애플리케이션에 베리티SEM 10을 사용할 수 있다.

키스 웰스 어플라이드 머티어리얼즈 이미징 및 공정제어 그룹 부사장은 "베리티SEM 10 시스템은 CD-SEM 분야의 변곡점이 될 기술"이라며 "높은 분해능, 빠른 이미징 속도가 결합돼 하이-NA, GAA 트랜지스터, 고집적도 3D 낸드로 전환하는 과정에 도움이 된다"고 말했다.

/민혜정 기자(hye555@inews24.com)