D램 12개 쌓은 칩 나왔다... 하이닉스, HBM3 첫 개발

세계 최초 신제품 출시
데이터 처리속도 '탁월'

SK하이닉스가 개발한 12단 적층 HBM3. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB를 구현한 HBM(고대역폭 메모리) 4세대(이하 HBM3) 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다.

HBM(고대역폭 메모리)는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 메모리 제품을 의미한다. SK하이닉스가 지난 2013년 세계 최초로 개발했다.

SK하이닉스는 지난해 6월 세계 최초로 4세대 제품은 HBM3를 양산하는 데 성공했으며, 이번에 기존 16GB 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다.

SK하이닉스 기술진은 이번 신제품에 다양한 기술을 도입했다. 반도체 칩을 쌓은 후 칩과 칩 사이 회로를 보호에 주입하고 굳히는 '어드밴스드 MR-MUF'기술로 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다. 이 기술은 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 기존 방식 대비 공저이 효율적이고 열 방출에도 효과적인 공정이라는 게 회사 측 설명이다. 또 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫은 후 위아래 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 TSV 공정을 활용, 24GB 패키지 제품을 16GB 제품과 같은 높이로 구현하는 데 성공했다.회사는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중으로, 생성형 인공지능(AI) 시장 확대와 함께 고성능 컴퓨팅 수요가 늘어날 것으로 기대하고 있다. 이와 관련 대만의 시장조사업체 트렌드포스는 최근 HBM 시장의 연평균 성장률이 오는 2025년까지 최대 45%에 달할 것으로 예상하며, SK하이닉스에 이어 삼성전자와 미국 마이크론도 올해 말이나 내년 초부터 최첨단 제품인 HBM3를 본격적으로 양산할 것으로 전망했다. SK하이닉스의 지난해 HBM 시장점유율은 50%에 달한다.

홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 "당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"며, "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 말했다.전혜인기자 hye@dt.co.kr