삼성전자, 화성캠퍼스 라인 재배치… 낸드플래시 2분기 감산 효과 기대

16·17라인 낸드플래시 대신 EUV·D램으로 개편
화성캠퍼스에 EUV·D램 라인 붙여 시너지 모색
장비 재배치 영향 2분기부터 낸드 생산량 감소할 듯

삼성전자 화성캠퍼스 EUV 생산라인 전경./삼성전자 제공

삼성전자가 주력 반도체 생산라인 중 하나인 화성캠퍼스 내 낸드플래시 생산장비를 걷어내고 D램과 극자외선(EUV) 노광장비 기반 시스템반도체 중심으로 설비를 재배치했다. 지난해 하반기부터 진행된 화성캠퍼스 설비 재배치 작업 영향으로 삼성전자의 낸드플래시 생산량은 올해 2분기부터 전년보다 약 12% 수준 감소할 것이라는 분석이 나온다.

20일 업계에 따르면 삼성전자는 화성캠퍼스 내 16·17라인에서 일부 운용되던 낸드플래시 장비를 평택 등지로 이동시키고 해당 라인을 D램, 시스템반도체 생산라인으로 전환한 것으로 파악됐다. 향후 삼성전자는 낸드 생산기지를 평택캠퍼스, 중국 시안공장 중심으로 운용하고 화성캠퍼스의 경우 D램과 극자외선(EUV) 노광장비 생산라인으로만 전문화한다는 방침이다.

현재 화성 12라인에서 일부 생산되고 있는 낸드도 단계적으로 생산량을 줄여나갈 전망이다. 이에 따라 삼성전자는 사실상 평택, 중국 시안 두 거점을 최대 생산기지로 삼게 된다. 2분기 현재 삼성전자는 전체 낸드 생산량의 74% 이상을 평택, 시안에서 생산 중인 것으로 알려졌다.

삼성전자 반도체 공장 중 최신 공정이 적용되고 있는 화성캠퍼스는 대대적으로 EUV 장비가 투입된 곳이다. 삼성전자가 D램, EUV 생산라인을 붙여놓는 방향으로 라인 재배치를 단행한 이유는 D램 최신 미세공정에 최근 들어 EUV 장비 적용이 본격화됐기 때문이다. 실제 삼성전자가 지난해 이미 낸드 생산을 중단한 17라인의 경우 EUV 전문 생산라인인 V1과 인접해있다.

반도체업계 관계자는 “화성캠퍼스 운영 효율성을 최대로 끌어올리기 위해서 궁합이 맞는 D램과 EUV 라인을 근접한 곳에 배치하는 생산라인 효율화를 진행해왔으며 현재는 거의 마무리된 상황”이라며 “낸드의 경우 이제 3D 낸드 방식이 대세가 됐기 때문에 더이상 미세화보다는 수직 증착이 관건이고 D램, EUV 등과 이렇다할 시너지를 내기가 어렵다”고 설명했다.

생산라인 조정 작업과 함께 16·17라인의 낸드 설비가 빠지면서 전체 낸드 생산량도 올해 2분기 들어 크게 줄어들 것으로 전망된다. 조선비즈가 시장조사업체 옴디아 자료를 분석한 결과 월 평균 웨이퍼(반도체 원판) 생산량은 지난해 월 평균 66만장 수준에서 올해 2분기 들어 월 58만장 수준으로 12% 줄어들 것으로 파악됐다.

글로벌 시장 점유율 34%를 차지하고 있는 1위 업체 삼성전자의 감산과 함께 SK하이닉스, 마이크론, 키옥시아의 공급량 조절에 따라 바닥까지 내려간 낸드 가격도 반등의 기미를 보이고 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 주요 낸드 제품의 가격은 3분기를 저점으로 반등할 전망이다.

낸드플래시 제품 가운데 트리플레벨셀(TLC) 256기가비트(Gb) 제품은 올해 3분기 평균 가격이 0.89달러를 기록할 것으로 예상됐다. 지난해 하반기부터 올해 2분기까지 가격 하락세가 이어졌지만 5분기 만에 하락세가 멈출 것이라는 전망이다. 올 4분기까지 보합세에 머무는 이 제품의 가격은 내년 1분기부터 상승세가 전망됐다. 512Gb·1테라비트(Tb) 제품 가격 역시 3분기에 저점을 찍고 4분기부터 회복할 것으로 예상했다.

- Copyright ⓒ 조선비즈 & Chosun.com -