키오시아 직원, 일본 문부과학성의 과학기술상 수상

도쿄 -- 비즈니스와이어 -- 메모리 솔루션 분야의 세계적 리더인 키오시아(Kioxia Corporation)는 메모리 용량을 크게 증가시키고 제조 비용을 감소시키는 고밀도 3차원 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법을 발명한 공로로 키오시아 직원들이 문부과학성으로부터 과학기술상을 받았다고 오늘 발표했다.

이 상은 문부과학성이 연구 개발에서 뛰어난 업적을 달성하고 일본의 과학 기술에 대한 이해를 증진한 개인에게 매년 수여하는 상이다.

키오시아 수상자

· 가쓰마타 료타(Ryota Katsumata), 메모리 사업부 고급 메모리 개발 센터, 부장보 · 기토 마사루(Masaru Kito), 메모리 사업부 고급 메모리 개발 센터, 그룹 매니저 · 아오치 이데아키(Hideaki Aochi), 장치 기술 연구 개발 센터, 메모리 기술 연구 개발 연구소, 시니어 엑스퍼트 · 기도 마사루(Masaru Kido), 메모리 개발 전략 사업부, 치프 스페셜리스트 · 다나카 히로야스(Hiroyasu Tanaka), 메모리 개발 전략 사업부, 치프 스페셜리스트

수상 기술 개요

플래시 메모리는 스마트폰, 데이터센터 등 데이터 저장을 위한 다양한 애플리케이션에 활용되고 있어 수요 증가가 예상된다.

이번에 수상한 3차원 플래시 메모리 기술은 고밀도 3차원 플래시 메모리를 구현하기 위해 메모리 셀을 수직으로 적층하는 제조 공정을 크게 단순화한 획기적인 접근 방식이다. 기존 적층 방식에는 메모리 셀 어레이 제작을 위해 반복된 증착과 패터닝 공정이 필요했으나, 이 기술은 먼저 메모리 셀용 재료를 적층한 후 각 셀을 1회 패터닝 공정으로 동시에 만들기 때문에 공정 단계가 크게 줄어든다. 기존의 2차원 플래시 메모리에 채용된 소형화 기술이 물리적 한계에 다가가게 되면서 고용량, 고성능의 3차원 플래시 메모리 기술이 시장을 주도하는 제품에 점점 더 많이 적용되고 있다. 키오시아는 2015년 3차원 플래시 메모리 BiCS FLASH™를 상용화한 이후 적층 밀도를 높이는 작업을 진행해 왔다. 지난달 키오시아는 218 레이어의 고용량 고성능 3차원 플래시 메모리 BiCS FLASH™를 발표했다.

이 3차원 플래시 메모리 기술은 2020년 국가발명표창(National Commendation for Invention)에서 임페리얼 발명상(Imperial Invention Prize)을 받았고 2021년 IEEE 앤드루 S. 그로브 어워드(Andrew S. Grove Award)를 수상했다.

키오시아는 “’메모리’로 세상을 발전시킨다(uplifting the world with ‘memory’)”는 미션에 따라 전 세계 사람들에게 가치를 제공하는 연구 및 기술 개발에 전념하고 있다.

키오시아 소개

키오시아는 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(Solid-State Drive, SSD)의 개발, 생산 및 판매에 전념하는 메모리 솔루션 분야의 세계적 리더이다. 2017년 4월, 그 전신인 도시바 메모리(Toshiba Memory)는 1987년 NAND 플래시 메모리를 발명한 회사인 도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation)에서 분사했다. 키오시아는 고객이 만족하는 선택과 사회를 위한 메모리 기반 가치를 창출하는 제품, 서비스 및 시스템을 제공함으로써 메모리로 세상을 발전시키는 데 전념하고 있다. 키오시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 고급 스마트폰, PC, SSD, 자동차 및 데이터 센터를 포함한 고밀도 애플리케이션에서 스토리지의 미래를 만들어 가고 있다.

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출처:Kioxia Corporation

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