SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발…“AI에 활용”

SK하이닉스가 개발한 12단 적층 HBM3. SK하이닉스 제공

챗GPT 등 생성형 인공지능(AI)의 학습·운용에 사용되는 고성능 D램인 고대역폭메모리3(HBM3) 신제품을 SK하이닉스가 선보였다.

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직으로 적층해 최고 용량인 24기가바이트(GB) HBM3 신제품을 개발하는 데 성공했다고 20일 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 쌓아 올려 서로 연결한 뒤 포장(패키징)하는 방식으로 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고성능 D램이다. 기존 D램에서 데이터가 다니는 길이 1차선 도로라면, HBM은 이를 5~6차선으로 넓혀 데이터가 빠르게 이동하게 돕는다.

SK하이닉스는 지난해 6월 세계 최초로 4세대 제품인 HBM3 양산에 성공했다. 다만 그동안은 D램 칩 8개를 수직으로 쌓은 16GB 제품이 최대 용량이었다. SK하이닉스는 패키징 기술력을 높여 이를 12단으로 늘리고 공정 효율성과 안정성 등을 강화했다고 밝혔다. 특히 D램 단품 칩의 두께를 40% 줄인 뒤 이를 쌓는 방식으로 기존 16GB HBM3와 같은 높이로도 24GB 제품을 구현해냈다. SK하이닉스는 이 제품을 올해 하반기부터 시장에 공급할 계획이다.

HBM3는 주로 인공지능(AI)를 위한 저장장치로 활용된다. AI 반도체 시장 점유율 1위 기업인 미국의 엔비디아는 자사의 그래픽처리장치(GPU)인 ‘H100’에 SK하이닉스의 HBM3를 결합해 서버 및 클라우드 기업에 공급한다.

홍상후 SK하이닉스 P&T담당 부사장은 “세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다”며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.

이재덕 기자 duk@kyunghyang.com