SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 ‘HBM3’ 개발… 상반기 내 양산

SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 ‘HBM(고대역폭 메모리)3’ 신제품을 개발하는 데 성공했다. 반도체 업황 부진이 장기화하고 있지만, SK하이닉스는 기술 한계 극복을 통해 위기 상황에서도 돌파구를 마련하는 전략을 추진한다.

SK하이닉스는 HBM3 24GB 신제품 샘플을 다수의 글로벌 고객사에 제공해 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로, HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)에 이은 4세대 제품이다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB 제품이었다.

SK하이닉스는 올해 상반기 중 신제품 양산 준비를 끝낼 계획이다. 회사 관계자는 “인공지능(AI) 챗봇 산업이 확대되면서 늘고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) ‘MR-MUF’와 ‘TSV’ 기술을 적용했다고 설명했다. 특히 TSV 기술이 적용된 SK하이닉스의 HBM3는 풀HD 영화 163편을 1초에 전송하는, 초당 819GB의 속도를 구현한다. SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을 받고 있다. 홍상후 SK하이닉스 부사장은 “AI 시대를 맞아 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 다지겠다”고 말했다.

장병철 기자 jjangbeng@munhwa.com