SK하이닉스, 12단 적층 HBM3 개발…"세계 최초"

"하반기부터 공급"…고객사서 시제품 검증 중

(지디넷코리아=유혜진 기자)SK하이닉스는 20일 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 용량 24GB를 구현한 고대역폭메모리(HBM)3 신제품을 개발했다고 밝혔다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 제품이다. HBM3는 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)에 이어 개발된 HBM 4세대 제품이다. 초당 데이터 처리 속도는 819GB로 1초에 풀HD(FHD) 영화 163편을 전송할 수 있는 수준이다.

SK하이닉스가 개발한 24GB 용량 고대역폭메모리(HBM)3(사진=SK하이닉스)

홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 “지난해 6월 세계에서 처음으로 HBM3를 양산한 데 이어 기존보다 용량을 50% 늘린 현존 최고 용량 24GB 제품을 또 세계 최초로 개발했다”며 “기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다”고 말했다. 그러면서 “상반기에 신제품 양산 준비를 끝내겠다”며 “인공지능 대화형 로봇(AI 챗봇) 산업이 확대되면서 고사양 메모리 반도체 수요가 늘어나는 만큼 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 기술로 공정 효율성과 제품 성능을 안정했다고 설명했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하고자 액체 보호재를 그 사이에 넣어 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름 소재를 까는 방식보다 공정이 효율적이고 열을 내보낸다고 평가된다.

SK하이닉스가 개발한 24GB 용량 고대역폭메모리(HBM)3(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 TSV(Through Silicon Via) 기술도 적용했다. 기존보다 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품 같은 높이로 만들었다고 전했다. TSV는 D램 칩에 미세한 구멍을 수천개 뚫어 위아래 칩 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 고난도 패키징 기술이다.

SK하이닉스는 국내외 고객사에 HBM3 24GB 시제품을 제공해 성능을 검증하고 있다.

유혜진 기자(langchemist@zdnet.co.kr)