영화 163편을 1초에 전송…SK하이닉스, 12단 적층 D램 개발

[SK하이닉스가 개발한 12단 적층 HBM3 (사진=SK하이닉스)]

SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 적층한 고대역폭 메모리 반도체 4세대 'HBM3' 개발에 성공했다고 오늘(20일) 밝혔습니다. 

SK하이닉스는 현재 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있고 하반기부터 시장 공급에 나설 계획입니다. 

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품입니다.

HMB 4세대인 HBM3의 기존 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였습니다.

SK하이닉스는 “이번에 기존보다 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다”며 “최근 AI 챗봇 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 강조했습니다.

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화하고 TSV 기술을 활용해 기존보다 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다고 설명했습니다. 

MR-MUF 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정으로 열 방출에 효과적인 공정입니다.

TSV 기술이 적용된 SK하이닉스의 HBM3는 FHD(Full-HD) 영화 163편을 1초에 전송하는, 최대 819GB/s(초당 819기가바이트)의 속도를 구현합니다.

앞서 대만의 시장조사업체 트렌드포스는 보고서에서 "올해 SK하이닉스의 HBM 시장점유율은 53%로 전년보다 3%포인트 상승할 전망"이라고 밝힌 바 있습니다.

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