“SK하이닉스 일냈다”…세계최초 12단 적층 ‘HBM3’ 개발 하반기부터 공급

SK하이닉스가 개발한 현존 최고 용량인 12단 적층 HBM3 [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김민지 기자] SK하이닉스가 현존 최고 용량의 ‘HBM3’ 신제품을 개발, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 20일 밝혔다. 챗GPT를 필두로 한 생성형 인공지능(AI) 서비스에 필수로 탑재되는 고성능 D램 시장을 선점하겠다는 전략이다.

이번 신제품은 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 24GB(기가바이트)를 구현했다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다. HBM(High Bandwidth Memory)이란, 여러 개의 D램을 수직 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리 반도체다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔다.

SK하이닉스는 “지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다”며 “최근 AI 챗봇(인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 강조했다.

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다. 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다. 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다. 이 기술들을 기반으로 FHD(Full-HD) 영화 163편을 1초에 전송하는 최대 819GB/s(초당 819기가바이트)의 속도를 구현할 수 있었다고 SK하이닉스 측은 설명했다.

SK하이닉스 홍상후 부사장(P&T담당)은 “당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다”며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.

jakmeen@heraldcorp.com