SK하이닉스, 또 세계 최초…12단 HBM3 24GB 개발

8단 16GB 제품서 진화…"AI시대 D램 주도권 확고히"

SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 세계 최초로 12단 적층 HBM3를 개발했다고 20일 밝혔다. 이를 활용한 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)의 HBM3 신제품을 개발하고 고객사의 성능 검증을 받고 있다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치‧고성능 제품이다. 기존 HBM3의 최대 용량은 8단을 수직 적용한 16GB였다.

SK하이닉스는 "지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에는 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다"면서 "최근 AI(인공지능) 챗봇 산업이 확대하면서 늘어나는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다. 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화하고, 기존 대비 40% 얇은 D랩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로도 용량은 2배 높인 제품을 만들었다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호제를 주입하는 공정이다. 칩과 칩 사이 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫고 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 패키징 기술이다.

SK하이닉스가 지난 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품이다. 특히 HBM3는 대량의 데이터를 신속하게 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으면서 빅테크 기업의 수요가 늘고 있다.

SK하이닉스 홍상후 부사장은 "세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발할 수 있었다"면서 "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 하겠다"고 말했다.

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CBS노컷뉴스 장성주 기자 joo501@cbs.co.kr

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