SK하이닉스, 세계최초 '12단 적층' HBM3 개발.."하반기 공급"

최영지 2023. 4. 20. 09:25
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SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다고 20일 밝혔다.

SK하이닉스(000660)는 "당사는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다"며 "최근 AI 챗봇(Chatbot, 인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 강조했다.

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HBM3 24GB 제품 개발…고객사에 샘플 제공
D램 12개 수직적층·제품 성능 안정성 강화
"'AI 챗봇 시장 확대' 메모리 수요 맞춰 하반기 공급"

[이데일리 최영지 기자] SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 기존 제품의 기술적 한계를 넘어선 것으로, 고객사들에 신제품 샘플을 제공해 성능 검증을 받고 있으며 올 하반기 공급하겠다는 계획이다.

HBM3 24GB(기가바이트) 제품. (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스(000660)는 “당사는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다”며 “최근 AI 챗봇(Chatbot, 인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 강조했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로, SK하이닉스는 HBM3를 양산해 엔비디아에 공급하고 있다. 이는 인공지능(AI) 챗봇인 챗GPT에도 활용되고 있다.

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 △어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 △TSV 기술을 적용했다. 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 기존 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현할 수 있었다.

SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을 받고 있다.

특히, 최신 규격인 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며, 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있다고 설명했다.

회사는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이며, 고객들 역시 이 제품에 대해 큰 기대감을 보이고 있는 것으로 알려졌다.

홍상후 SK하이닉스 P&T담당 부사장은 “당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다”며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 말했다.

최영지 (young@edaily.co.kr)

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