파워넷, 디지탈 GaN 적용 65W 아답터 개발 성공
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파워넷은 디지탈 GaN(질화갈륨)이 적용된 초슬림의 고효율 아답터 개발에 성공했다고 13일 밝혔다.
이번 아답터 개발은 지난 3월 프랑스 디지탈 GaN 토탈 솔루션 업체 와이즈 인터그레이션(Wise Intergration)과 양해각서(MOU) 체결 이후 전략적인 기술 협업의 결과다.
개발된 65W(와트) PD 아답터는 파워넷의 고집적화 기술에 와이지 인터그레이션의 디지탈 GaN 토탈 솔루션을 적용했다.
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파워넷은 디지탈 GaN(질화갈륨)이 적용된 초슬림의 고효율 아답터 개발에 성공했다고 13일 밝혔다.
이번 아답터 개발은 지난 3월 프랑스 디지탈 GaN 토탈 솔루션 업체 와이즈 인터그레이션(Wise Intergration)과 양해각서(MOU) 체결 이후 전략적인 기술 협업의 결과다. 파워넷은 지난 6일 제품 조기개발 기념행사를 열고 양사 간의 비전 및 기술 교류 시간을 가졌다.
개발된 65W(와트) PD 아답터는 파워넷의 고집적화 기술에 와이지 인터그레이션의 디지탈 GaN 토탈 솔루션을 적용했다. 회사는 PD 아답터를 시작으로 TV 세트와 전기차에 이르기까지 에너지 효율을 필요로 하는 다양한 분야에 적용할 수 있도록 협업을 확대할 계획이다.
이돈주 대표는 "양사간 최고의 기술을 결합하여 전력전자산업의 새로운 시대의 시작이 될 것으로 기대한다"며 "더 높은 수준의 에너지 효율성을 제공하는 동시에 환경에 미치는 영향을 최소화하여 ESG(환경·사회·지배구조) 를 실천하는데 앞장설 수 있을 것"이라고 말했다.
김건우 기자 jai@mt.co.kr
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