SK하이닉스 김형수 부사장, 젊은공학인상 수상
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SK하이닉스는 D램 개발 김형수 부사장이 제27회 한국공학한림원 대상 시상식에서 '젊은공학인상'을 수상했다고 23일 밝혔다.
한국과학기술원 박사과정을 거친 김 부사장은 2005년 SK하이닉스 설계 연구원으로 입사해 D램 제품 개발을 주도했다.
또 김 부사장은 2021년 단일 칩으로 업계 최대 용량은 1anm(4세대 10나노급) 24Gb DDR5 D램을 개발해 SK하이닉스의 기술력을 한 단계 높였다는 평가를 받는다.
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SK하이닉스는 D램 개발 김형수 부사장이 제27회 한국공학한림원 대상 시상식에서 '젊은공학인상'을 수상했다고 23일 밝혔다.
한국과학기술원 박사과정을 거친 김 부사장은 2005년 SK하이닉스 설계 연구원으로 입사해 D램 제품 개발을 주도했다. 그는 여러 차례 '세계 최초 기술 개발'이라는 성과로 한국 반도체 산업 발전에 기여한 공적을 인정받아 수상자로 선정됐다.
그는 2018년 세계 최초로 1yna(2세대 10나노급) 16Gb DDR5 D램을 개발하고 제품 출시까지 주도적 역할을 했다. 이 제품은 DDR4 D램보다 속도는 1.8배 빠르고 전력 소비량은 30% 줄였다.
또 김 부사장은 2021년 단일 칩으로 업계 최대 용량은 1anm(4세대 10나노급) 24Gb DDR5 D램을 개발해 SK하이닉스의 기술력을 한 단계 높였다는 평가를 받는다. 이밖에 세계 최고 성능의 D램인 HBM(고대역폭메모리) 시리즈와 고용량 96GB CXL(컴퓨트익스프레스링크) 메모리를 개발했다.
김 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸과 인터뷰에서 "최초가 되고 싶은 경쟁심이 개발의 가장 큰 원동력"이라며 "최초라는 타이틀은 우리 회사에서 D램을 책임지고 있는 모든 구성원이 함께 만들어낸 성과"라고 말했다.
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CBS노컷뉴스 장성주 기자 joo501@cbs.co.kr
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