“美·日·中 90% 독점” 재료硏, ‘반도체 세라믹 부품’ 국산화 성공
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한국재료연구원 엔지니어링세라믹연구실 마호진, 박영조 박사 연구팀이 반도체 제조 장비 내부의 오염 입자를 줄이는 내플라즈마성 세라믹 나노복합체 신조성 및 공정 기술을 국내 최초로 개발했다고 22일 밝혔다.
마호진 박사는 "반도체 전 공정 중 식각 공정은 미국과 일본의 장비‧부품이 90% 이상을 장악하고 있으며 이를 중국이 빠르게 추격하는 추세"라며 "이번 연구성과는 세계 최고 수준의 내플라즈마성 소재를 국내 기술로 개발한 대표적 사례임과 동시에, 소재 자립화를 통해 부품을 국산화하는 초석이 될 것으로 기대한다"고 말했다.
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[헤럴드경제=구본혁 기자] 한국재료연구원 엔지니어링세라믹연구실 마호진, 박영조 박사 연구팀이 반도체 제조 장비 내부의 오염 입자를 줄이는 내플라즈마성 세라믹 나노복합체 신조성 및 공정 기술을 국내 최초로 개발했다고 22일 밝혔다.
일반적인 반도체 공정은 플라즈마를 이용한 식각 공정으로 이루어진다. 이 과정에서 실리콘 웨이퍼는 물론, 장비의 내부 부품까지 플라즈마에 노출돼 오염 입자를 생성하여 칩 불량이 발생하는 일이 빈번하다. 이로 인해, 장비 내부 소재의 90% 이상을 차지하는 세라믹 부품의 잦은 교체는 반도체 생산성을 저해하는 큰 원인이 되기도 한다.
연구팀은 기존의 단일 조성 세라믹이 아닌 나노복합체를 이용해 이트리아-마그네시아(Y2O3-MgO) 소재를 10나노미터(㎚) 크기의 입자로 합성하고, 무기공 치밀체 소결 공정 기술을 통해 100% 밀도의 완전 치밀체를 제작했다. 식각율이 작을수록 우수한 소재인데, 개발된 나노복합체는 사파이어와 비교하면 6.5%, 플라즈마 저항성이 가장 우수하다고 알려진 이트리아(Y2O3)와 비교해서도 40% 정도에 불과했다.
연구팀은 나노복합체의 미세구조 내 결정립 크기와 기공도에 따라 플라즈마 식각 후에 나타나는 표면 변화를 분석하고, 미세하고 균일한 미세구조 분포를 가진 나노복합체가 우수한 식각 저항성과 적은 표면 조도 변화를 가져온다는 사실을 확인했다.
마호진 박사는 “반도체 전 공정 중 식각 공정은 미국과 일본의 장비‧부품이 90% 이상을 장악하고 있으며 이를 중국이 빠르게 추격하는 추세”라며 “이번 연구성과는 세계 최고 수준의 내플라즈마성 소재를 국내 기술로 개발한 대표적 사례임과 동시에, 소재 자립화를 통해 부품을 국산화하는 초석이 될 것으로 기대한다”고 말했다.
이번 연구결과는 ㈜맥테크에 기술이전됐으며, 미국 화학회(ACS)가 발행하는 국제학술지 ‘에이씨에스 어플라이드 머티리얼즈 앤 인터페이스’에 게재됐다.
nbgkoo@heraldcorp.com
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