메모리 초격차 줄어든 삼성전자 “투자 축소 없다”

D램·낸드 ‘최초’ SK하이닉스 등이 차지
31일 IR서 올해 투자 규모 공개 예정

삼성전자 화성캠퍼스. 삼성전자 제공

반도체 경기 악화로 삼성전자의 올해 투자 방향에 관심이 쏠린 가운데, 메모리반도체의 경쟁력 약화로 투자 축소가 크지 않을 것이란 전망이 나온다. 한때 에스케이(SK)하이닉스나 마이크론에 견줘 1세대 정도 앞서는 것으로 평가받던 삼성전자 메모리반도체 경쟁력이 이젠 격차가 거의 사라져 투자를 줄이기 어렵게 됐다는 것이다.

30일 삼성전자 관계자는 “메모리반도체의 선단공정만 따지면 경쟁업체와의 차이가 거의 없어졌다. 격차를 유지하기 위해 투자를 적게 할 수가 없는 상황”이라고 말했다. 이어 “디램은 1에이(a) 이상, 낸드플래시는 적층 200단 이상의 선단공정 비중을 따지면 다른 업체보다 높지 않다”며 “투자를 하지 않고 선단공정 비중을 더 올리기 힘들어 투자 규모를 줄일 수 없는 처지”라고 말했다. 최첨단 공정을 뜻하는 선단공정은 디(D)램의 경우 1에이(a), 1비(b)식으로 진행중이며, 낸드플래시는 저장공간인 셀을 수직으로 200단 이상 쌓아올리는 적층 경쟁을 펼치는 중이다.

최근 메모리반도체에서 삼성전자보다 에스케이하이닉스나 마이크론 등이 세계 최초로 개발하거나 양산에 들어가는 경우가 많아졌다. 구체적으로 에스케이하이닉스는 이달 초 최첨단 극자외선(EUV) 노광기를 활용한 1에이 공정으로 생산한 디디알(DDR)5 서버용 디램이 세계 최초로 인텔의 인증을 받았다고 밝혔다. 지난해엔 세계 최고 성능 디램 ‘에이치비엠(HBM)3’을 양산해 엔비디아 등에 공급한다고 밝혔다. 낸드플래시에서도 마이크론이 지난해 7월 232단 제품 출하를 시작했다고, 에스케이하이닉스는 한 달 뒤 238단 제품 개발에 성공했다고 밝힌 바 있다.

삼성전자가 지난해 12월 1비 공정으로 만들어진 디디알5 디램 개발을 알리며 ‘회로 선폭’(12나노급)을 공개한 것도 기술 격차 축소 우려에 대한 반응이란 해석을 낳았다.

메모리반도체 수요는 첨단 시스템반도체 개발과 궤를 같이 한다. 현재 선단공정 제품 비중이 적더라도 향후 인공지능(AI), 자율주행 등과 관련된 최신 시스템반도체 수요가 늘어날 수밖에 없고, 그에 따라 최신 메모리반도체 수요도 늘 수밖에 없다. 그만큼 매출 증대 효과가 큰 셈이다.

시장조사기관 옴디아에 따르면, 지난해 4분기 기준 1에이 공정 제품 비중은 삼성전자 7%, 에스케이하이닉스 16%, 마이크론 43%이었다. 마이크론이 선단공정으로 제작된 디램 비중이 가장 높았다. 삼성전자 또다른 관계자는 “각 사마다 공정을 정의하는 방식도 다르고 가격과 성능을 함께 고려해야 해 삼성전자 제품이 더 우위에 있다”고 설명했다.

한편, 삼성전자의 올해 투자 계획은 31일 기업설명회(IR)를 통해 공개될 전망이다. 삼성전자는 설명회 하루 전 리허설을 통해 투자 규모 등의 내용을 최종 확정한 것으로 알려졌다.

이정훈 기자 ljh9242@hani.co.kr