SK하이닉스 "올해 차세대 초고층 낸드 개발 목표"

고은정 SK하이닉스 미래기술연구원 차세대 공정 부사장. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 차세대 초고층 낸드플래시 개발을 올해 목표로 제시했다.

SK하이닉스는 19일 자사 뉴스룸에 게시한 고은정 SK하이닉스 미래기술연구원 차세대 공정 부사장 인터뷰에서 이와 같은 내용을 밝혔다.

고 부사장은 지난해 말 발표한 SK하이닉스 신임 임원 인사에서 유일한 여성으로 이름을 올린 인물이다. 지난 2005년 SK하이닉스에 입사해 낸드플래시 개발과 양산 업무를 맡았으며, D램과 3D 낸드플래시 개발을 비롯한 주요 프로젝트를 주도해왔다. 또 연구·개발(R&D) 전략실에서 여러 분야를 넘나들며 주요 제품군 개발 전략 업무를 수행하기도 했다.

고 부사장은 인터뷰에서 "공정 미세화가 필요한 D램과 적층 구조를 만들어야 하는 낸드플래시의 공정이 많이 다르지만 양쪽에 대한 개발을 모두 진행하고 있다"며 "차세대 낸드플래시 공정 개발이 어렵더라도 기존의 개발 경험을 바탕으로 해낼 것"이라고 말했다.

고 부사장은 스스로의 무기에 대해 산업 전반을 고루 경험한 '제네럴리스트'라는 점을 꼽으며, 특히 R&D 전략실에서의 경험으로 "각 제품 적기 개발의 중요성과 함께 반도체 시장의 전체적인 흐름, 나아가 10년, 20년을 내다보는 중장기적 안목이 생겼다"고 설명했다.

SK하이닉스는 지난해 238단 4D 낸드플래시 개발에 성공한 바 있다. 올해는 이보다 기술 수준을 높인 신제품을 개발해 선보인다는 방침이다.

이를 위해 고 부사장은 '원팀으로서의 협업'을 강조하며 "차세대 NAND 개발 역시 쉽진 않겠지만, 진정한 원팀으로 함께 노력한다면 결국 최고의 품질과 가격 경쟁력을 가지게 될 것"이라고 전했다. 이어 "모든 구성원들의 다양성을 존중하고, 일을 잘할 수 있는 환경을 만들어 준다면 개인의 성과가 곧 회사의 성장으로 이어질 것"이라고 덧붙였다.전혜인기자 hye@dt.co.kr