[과기원은 지금] 전상훈 KAIST 교수팀, 기존 메모리 성능 뛰어넘는 메모리 개발

전상훈 KAIST 교수. KAIST 제공

■전상훈 KAIST 전기및전자공학부 교수 연구팀은 기존 플래시 메모리의 물리적 성능 한계를 뛰어넘는 메모리를 개발했다고 18일 밝혔다. 이 메모리는 음의 정전용량 현상은 인가되는 전압이 증가하면 전하량이 감소함을 의미하는 ‘음의 정전용량 효과’를 이용했다. 차세대 낸드 플래시 메모리 개발에 도움이 될 것으로 기대된다.
 

[고재원 기자 jawon1212@donga.com]