메모리 초격차 유지하고 파운드리도 집중투자 '반도체 초강대국' 달성해 韓경제 견인

삼성전자가 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 임직원들이 화성캠퍼스에서 3나노 웨이퍼를 보여주는 모습. 【사진 제공=삼성전자】

삼성이 반도체와 신성장 정보기술(IT) 등(AI와 차세대통신) 미래 신사업을 중심으로 향후 5년간 450조원(국내 360조원, 관계사 합산 기준)을 투자한다고 지난해 5월 발표했다. 특히 차별화된 기술력으로 '반도체 초강대국' 달성을 주도해 국가 경제 발전에 이바지할 계획이다. 4차 산업혁명의 핵심 기반 기술인 반도체 산업에서 반도체가 한국 경제의 성장판 역할을 지속할 수 있도록 지원하는 의미도 있다.

삼성전자는 지난 30년간 선도해 온 메모리 기술에서 초격차 위상을 강화한다. 공정 미세화의 한계를 극복할 수 있는 신소재·신구조에 대한 연구개발(R&D)을 강화하고, 반도체 미세화에 유리한 극자외선(EUV) 기술을 조기에 도입하는 등 첨단기술을 선제적으로 적용할 방침이다. 삼성전자는 첨단기술의 선제적 적용으로 메모리 분야의 시장 점유율을 확장한다는 전략이다. 삼성전자는 2021년 10월 EUV 공정을 적용한 14나노 D램 양산을 발표하며 앞선 기술력을 확인했다. 또 14나노 D램 생산에 EUV 장비를 활용하는 레이어를 5개로 확대해 멀티 레이어 공정을 최초로 사용했다.

삼성전자는 고성능·저전력AP, 5G·6G 통신모뎀 등 초고속통신 반도체, 고화질 이미지센서 등 4차 산업혁명 구현에 필수 불가결한 팹리스 시스템 반도체와 센서 중심으로 기술 경쟁력을 확보할 계획이다. 삼성전자는 파운드리 사업에서 차별화된 차세대 생산 기술을 개발하고 적용해 3나노 이하 제품 양산을 시작했다. GAA(2나노 이하 초미세 반도체 생산에 사용되는 기술) 등을 적용하고, 차세대 패키지 기술 확보로 연산칩과 메모리가 함께 탑재된 융복합 솔루션을 개발해 업계 선두권 도약의 발판을 마련할 계획이다.

삼성전자는 세계 최초로 GAA기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일하다. 삼성전자는 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 초도 생산한 데 이어 모바일 SoC 등으로 확대해 나갈 예정이다.

현재 글로벌 경영 환경은 지정학적 위기와 거시경제에 대한 우려가 합쳐져 그 어느 때보다 어려운 상황이다. 삼성전자는 이런 위기에도 한계 없는 도전과 혁신을 통해 새롭게 성장해 나갈 계획이다. 삼성전자는 우선 반도체, 인공지능(AI)과 차세대통신 등 미래 신사업을 중심으로 연구개발에 매진하면서 새로운 비즈니스 기회를 계속 찾아 나간다는 방침이다.

삼성전자는 작년 10월 3일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022'를 열고, 팹리스 고객·협력사·파트너 등 관계자 500여 명이 참석한 가운데 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 삼성전자는 파운드리 기술 혁신, 응용처별 최적 공정 제공, 고객 맞춤형 서비스, 안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 밝혔다.

삼성전자는 앞선 양산 노하우를 기반으로 3나노 응용처를 확대하고 있으며, GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다.

또한 HPC와 오토모티브(차량용 반도체), 5G, IoT 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극 공략해 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워갈 계획이다.

[이새하 기자]