[특징주] 디아이티, 파워반도체용 'SiC Anneal' 장비 국산화 성공에 강세

디아이티가 DPSS UV 레이저와 Flat Top 광학계를 접목해 SiC 파워반도체 음 접촉(Ohmic Contact) 저항을 낮추는 효과적 공법의 장비를 개발했다는 소식에 강세다.

9일 오후 3시27분 현재 디아이티는 전 거래일 대비 2010원(3.60%) 오른 6050원에 거래되고 있다.

이날 언론에 따르면 디아이티가 개발한 SiC Wafer Anneal 장비는 기존 대비 2배 이상 생산성을 갖도록 개발했으며, 국내 SiC Wafer Anneal 장비시장을 대부분 점유하고 있는 일본 반도체 장비기업의 독점 구조를 깰 수 있을 것으로 예상된다.

SiC Anneal 장비를 개발한 관계자는 "웨이퍼 패턴의 데미지를 최소화하기 위해 UV 파장의 레이저를 선정했고, 웨이퍼의 가공에너지 균일도와 에너지효율을 최적화하는데 가장 효과적인 Flat Top 광학계를 적용했다"라며 "우리 장비는 시장의 수요에 부응하여 향후 주력 제품으로 예상되는 6, 8인치 Wafer에 대응할 수 있는 Annealing 시스템을 구성하고 있다"고 설명했다.

이지운 기자 lee1019@mt.co.kr
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