삼성전자, 최초로 12나노급 D램 개발

생산성 20% 향상, 전력도 절감

삼성전자가 세계 최초로 12나노(㎚·1나노는 10억분의 1미터) 공정의 ‘5세대 D램’ 개발에 성공했다고 21일 밝혔다. 12나노 공정은 기존 삼성의 첨단 공정인 14나노에 비해 생산성이 20%가량 높다. 최근 업계 3위인 미국 마이크론이 먼저 5세대 D램 개발에 성공했다고 밝혔지만, 반도체 업계에선 해당 기술을 13나노급으로 추정한다. 업계 2위인 SK하이닉스는 내년 상반기 중 5세대 D램을 공개할 전망이다.

D램은 스마트폰, PC, 데이터센터 등 거의 모든 전자 기기에 탑재되는 메모리 반도체다. 비유하자면 책꽂이(낸드플래시 반도체)에서 필요한 자료를 꺼내다가 펼쳐놓고 일할 수 있는 책상(D램 반도체)과 같은 일종의 작업 공간이다. D램 용량이 클수록 여러 프로그램을 한꺼번에 돌려도 전자기기가 버벅대지 않고 잘 돌아간다. 회로 선폭이 좁을수록 고효율·고성능의 반도체를 만들 수 있다.

삼성전자는 “첨단 EUV(극자외선) 기술을 활용해 30년 연속 세계 D램 반도체 1위의 기술력을 증명했다”며 “작년 10월 14나노 D램 양산(量産)에 이어 12나노급 D램 최초 개발을 통해 또 한 번 미세공정 한계를 극복했다”고 밝혔다. 이번 제품은 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 초고화질 영화 2편을 처리할 수 있는 7.2Gbps(초당 기가비트)의 속도를 지원한다. 이전 세대보다 소비 전력도 23% 개선했다는 것이 삼성 측 설명이다.

삼성전자는 내년 이 제품을 양산해 데이터센터, AI(인공지능), 차세대 컴퓨터 등 다양한 수요처에 공급할 계획이라고 밝혔다. 이번 제품은 D램 차세대 기술 규격인 DDR5를 지원하는 16Gb(기가비트) 용량 제품으로, DDR5 CPU(중앙처리장치) 제조사인 미국 반도체 기업 AMD와 호환성 검증도 마쳤다. 반도체 업계에선 내년에 데이터센터를 중심으로 고성능·저전력의 DDR5 반도체 교체 바람이 불 것으로 예상하고 있다. 삼성전자 이주영 부사장(D램 개발실장)은 “12나노급 D램이 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라고 했다. 현재 세계 D램 시장은 삼성전자가 40.6% 점유율(3분기 기준)로 1위이고 SK하이닉스(29.9%), 미국 마이크론(24.8%)이 뒤를 잇는다.