삼성의 초격차, 12나노 D램 첫 개발

1초에 30GB 영화 2편 처리
AMD 호환 검증, 내년 양산

삼성전자가 가장 미세한 공정인 12나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램을 반도체 업계 최초로 개발했다. 메모리 반도체 시장에 불어닥친 '한파'를 기술력으로 버텨내겠다는 의지다. 삼성전자는 업계 최고 미세공정인 12나노급 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하고 미국 반도체 기업 AMD와 함께 호환성 검증까지 마쳤다고 21일 밝혔다.

DDR5는 차세대 D램 규격으로 현재 주로 사용되는 DDR4보다 전송 속도가 2배 이상 빠르고 전력 효율도 30% 이상 높다. 나노는 반도체 회로 선폭을 가리키는데 미세화될수록 처리 속도는 빨라지고 소비전력은 줄어든다. 기존 제품은 14나노급 공정으로 만들었는데, 삼성전자가 이를 12나노급으로 끌어올린 것이다.

이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps(초당 기가비트)를 지원한다. 1초에 30기가바이트(GB) 용량 UHD 영화 2편을 처리하는 속도다. 삼성전자는 업계에서 유일하게 멀티레이어 극자외선(EUV)을 적용해 이번 제품을 개발했다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품보다 생산성이 약 20% 향상됐다.

[이새하 기자]