삼성전자, 업계 최초 12나노 DDR5 D램 개발

삼성전자가 개발한 12나노 16Gb DDR5 디램. 삼성전자 제공

삼성전자가 업계 최선단(최소 선폭) 12나노미터(㎚·10억분의 1m) 16기가비트(Gb) 디디아르(DDR)5 디(D)램을 개발해 에이엠디(AMD)와 함께 호환성 검증까지 마쳤다고 21일 밝혔다. 더블 데이터 레이트(double data rate)의 약자인 디디아르는 디램 규격으로, 뒤에 붙는 숫자가 높을수록 최신 성능을 갖췄다는 뜻이다.

삼성전자가 개발한 12나노급 디디아르5 공정은 통상 ‘5세대 10나노급 공정’으로 통한다. 12나노로 구체적인 선폭을 공개한 것은 미세공정 기술력을 강조하기 위해서라는 풀이가 나온다. 삼성전자는 지난해 10월 업계 최선단 14나노 디디아르5 디램 양산을 시작했다. 삼성전자 관계자는 “유전율이 높은 신소재 적용으로 커패시터(전기를 일시적으로 저장하는 장치·콘덴서) 용량을 높이고, 회로 특성을 개선하기 위한 혁신적 설계로 업계 최선단의 공정을 완성했다”고 설명했다.

이번 제품은 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해, 보다 세밀하게 반도체 회로를 구현하는 방식으로 생산성을 높였다. 12나노급 디램은 기존 14나노 제품에 비해 생산성이 약 20% 향상됐다. 웨이퍼(반도체 생산을 위한 원형판) 한 장에서 얻을 수 있는 디램 수량이 그만큼 늘었다는 뜻이다. 동작 속도는 최대 7.2Gbps로, 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있다. 소비 전력은 이전 제품에 비해 23%가량 개선됐다.

이 제품은 2023년부터 양산된다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 디램개발실장(부사장)은 “최선단 12나노급 디램은 본격적인 디디아르5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터와 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 말했다.

한편, 삼성전자는 1992년 글로벌 디램 시장 점유율 1위에 오른 이후 한 번도 1위 자리를 내준 적이 없다. 올해도 40%대 이상의 점유율로 1위를 지키고 있다.

이정훈 기자 ljh9242@hani.co.kr