삼성전자, 업계 최선단 12나노 D램 개발…기술 ‘초격차’ 선도

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 만든 16Gb(기가비트) DDR5 D램.

메모리 반도체 시장 1위 삼성전자가 최소 선폭인 12㎚(나노미터, 10억분의 1ｍ) 공정을 통해 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 미국의 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 10월 업계 최선단 14나노 DDR5 D램 양산에 이어 12나노급 D램 개발을 통해 미세공정 한계를 극복하며 기술 리더십을 증명하고 있다.

12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 20% 증가한다는 의미다. 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

또 이 제품은 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후위기 극복에 동참하는 글로벌 정보기술(IT) 기업들에 최상의 솔루션이 될 것이라고 삼성전자는 소개했다.

이번 제품은 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. EUV 기술을 적용하면 반도체 회로를 더 세밀하게 구현할 수 있어 생산성이 향상된다.

삼성전자는 내년부터 12나노급 D램을 양산할 계획이다. 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나가고, 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

한편 삼성전자는 1992년 글로벌 D램 시장 점유율 1위에 오른 이후 한 번도 1위 자리를 내준 적이 없다. 올해도 40%대 이상의 점유율로 1위를 지키고 있다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 말했다.

이재덕 기자 duk@kyunghyang.com