처리속도 2배 향상… 삼성전자, 12나노급 D램 첫 개발

현재 상용화된 DDR4 대비

전력 효율은 30%나 더 향상

내년에 양산… D램시장 선도

“기술의 한계 뛰어넘는 제품”

삼성전자가 업계 최초로 12나노(㎚·10억 분의 1m)급 D램(사진)을 개발하는 데 성공했다. 글로벌 경기 침체로 반도체 시장이 빠른 속도로 얼어붙고 있지만, 삼성전자는 글로벌 D램 30년 1위의 압도적 기술력을 앞세워 돌파구를 확보할 방침이다.

삼성전자는 업계 최선단인 12나노급 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 현재 상용화된 DDR4보다 속도가 2배 이상 빠르고, 전력 효율도 30% 이상 좋은 것이 특징이다. 삼성전자 관계자는 “유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 설계 등을 통해 업계 최선단 공정을 완성했다”고 설명했다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2기가비피에스(Gb㎰·초당 기가비트)를 지원한다. 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 이 제품은 또 이전 세대 제품보다 소비전력도 약 23% 개선됐다. 지난해 10월 업계 최선단인 14나노 DDR5 D램을 양산한 데 이어 12나노급 D램 개발에 성공하면서 업계에서는 삼성이 시장에서 경쟁자들보다 한발 앞서갈 수 있는 발판을 마련했다는 평가가 나온다.

삼성전자는 오는 2023년부터 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 정보기술(IT) 기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나간다는 방침이다. 현재 DDR5 시장의 주력 모델 성능이 4800메가비피에스(Mb㎰·초당 메가비트)에서 5600Mb㎰로 옮겨가고 있는 만큼 내년에는 데이터센터 증설 확대에 따라 신규 CPU를 위한 DDR5 채용이 늘 것으로 업계는 보고 있다.

조 매크리 AMD 최고기술책임자(CTO)는 “기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다”며 “AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는 데 삼성과 협력할 수 있어 기쁘다”고 말했다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능(AI) 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 이바지할 것”이라고 말했다.

장병철 기자 jjangbeng@munhwa.com

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